[發明專利]一種III族氮化物光電探測器鈍化膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201710133527.5
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN106952969A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 江灝;劉長山
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 陳衛

1.一種III族氮化物光電探測器鈍化膜，其特征在于，鈍化膜采用的材料是氮化硅，具有雙層結構。

2.根據權利要求1所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜，其特征在于：鈍化膜包含10~50nm內層氮化硅鈍化膜和200~400nm外層氮化硅鈍化膜。

3.根據權利要求1所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜，其特征在于：所述的III族氮化物材料，具有臺面結構，表面沉積兩層氮化硅鈍化膜。

4.一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1. 將光電探測器件采用有機溶液清洗潔凈后放入反應腔，設定反應腔溫度為200~350℃，設定腔體壓強為500~1200mtorr，并通入氮氣進行預熱5~10min；

S2. 10~50nm內層氮化硅鈍化膜生長；

S3. 200~400nm外層氮化硅鈍化膜生長；

S4. 經光刻用BOE溶液腐蝕，露出器件電極以及透光窗口；

S5. 清洗掩膜。

5.根據權利要求4所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：所述的氮化硅鈍化膜是通過化學氣相沉積法生長的，主要采用等離子增強化學氣相沉積（PECVD）生長設備，還可以使用APCVD、LPCVD、ALD 等設備。

6.根據權利要求4所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟S2中，采用PECVD設備：設定RF功率為10~50W，N₂流量300~400 sccm，NH₃流量5~10sccm，5%SiH₄/N₂的流量為10~20 sccm，腔體壓強為500~1200mtorr。

7.根據權利要求4所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟S2中，內層氮化硅鈍化膜厚度為10~50nm，硅烷和氨氣的流量比為1:1~4:1。

8.根據權利要求4所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟S3中，采用PECVD設備：設定沉積條件RF功率為80~120W，N₂流量300~400 sccm，NH₃流量5~10sccm，5%SiH₄/N₂的流量為50~100 sccm，腔體壓強為500~1200mtorr。

9.根據權利要求4所述的一種III族氮化物光電探測器鈍化膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟S3中，外層氮化硅鈍化膜厚度為200~400nm，硅烷和氨氣的流量比為5:1~20:1。