[發明專利]具有雙層亞波長光柵反射鏡的垂直腔面發射半導體激光器

有效

• 申請號: 201710133270.3
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN106654858B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 郝永芹;謝檢來;王勇;馮源;晏長嶺;鄒永剛;劉國軍;王霞;王志偉
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京市誠輝律師事務所 11430
• 代理人: 范盈

1.一種具有雙層亞波長光柵反射鏡的垂直腔面發射半導體激光器，自下而上包括以下組成部分，n面電極(1)、襯底(2)、n-DBR反射鏡(3)、有源增益區(4)、氧化物限制層(5)和高折射率導電基底(7)，在器件的上表面自外向里依次為p面電極(8)、低折射率亞層(9)，其特征在于，高折射率導電基底(7)位于氧化物限制層(5)上面；器件的一個制作步驟為：在高折射率導電基底(7)上依次生長低折射率亞層(9)、高折射率亞波長光柵層(11)和低折射率光柵層(12)；采用刻蝕技術將高折射率亞波長光柵層(11)和低折射率光柵層(12)的中間部分制作成雙層亞波長光柵(13)；同時采用刻蝕技術將低折射率亞層(9)、高折射率亞波長光柵層(11)和低折射率光柵層(12)的周邊部分去除，并在高折射率導電基底(7)周邊部分上表面制作p面電極(8)；

上述刻蝕技術為一次性刻蝕技術；

所述低折射率亞層(9)材料為SiO₂，膜厚為0.32μm，對2μm波長的折射率為1.47；所述高折射率亞波長光柵層(11)材料為Si，膜厚為0.572μm，對2μm波長的折射率為3.48；所述低折射率光柵層(12)材料為SiO₂，膜厚為0.13μm，對2μm波長的折射率為1.47；所述雙層亞波長光柵(3)占空比為0.55，周期為0.86μm；

所述低折射率亞層(9)與雙層亞波長光柵(13)構成一種HCG，作為垂直腔面發射半導體激光器諧振腔的上反射鏡。