[發明專利]半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201710133211.6 | 申請日： | 2017-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN107180781B | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 白河達彥 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：
在表面形成著半導體元件的晶片將所述表面朝向支撐基板側而粘接的所述支撐基板的外周的至少一部分形成第一剝離面，
在從所述第一剝離面來看隔著所述支撐基板的幾何學重心而位于相反側的所述支撐基板的外周形成第二剝離面，且從所述第二剝離面朝向所述第一剝離面的方向將所述晶片與所述支撐基板剝離。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一剝離面形成在線剝離結束位置。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：通過向所述支撐基板與所述晶片之間插入爪而形成所述第一及第二剝離面。
4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：
在表面形成著半導體元件的晶片將所述表面朝向支撐基板側而粘接的所述支撐基板的外周的至少一部分形成剝離面，
使所述剝離面擴大到所述支撐基板的全周，
從擴大到全周的所述剝離面的一部分朝從所述一部分來看隔著所述支撐基板的幾何學重心的所述剝離面的另一部分的方向，將所述晶片與所述支撐基板剝離，
在將所述晶片與所述支撐基板剝離的線剝離開始位置側吸附所述支撐基板，在線剝離結束位置側對所述支撐基板加壓。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述剝離面時，向所述一部分的所述支撐基板與所述晶片之間插入爪，
在使所述剝離面擴大到所述支撐基板的全周時，使所述支撐基板相對于所述爪相對地旋轉。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東芝存儲器株式會社，未經東芝存儲器株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710133211.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于基底的氣相羥基自由基加工的系統和方法
- 下一篇：一種基座和反應腔室
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
