[發明專利]一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201710133167.9 | 申請日: | 2017-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN106876593B | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 楊麗軍;趙曉沖;楊盼 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院材料研究所 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 成都眾恒智合專利代理事務所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 王育信 |
| 地址: | 610000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 陣列 結構 有機 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)配置薄膜原料液:將所要制備的有機薄膜的原材料配置成飽和溶液,得到薄膜原料液;
2)制作電荷輔助沉積裝置:
A、采用聚四氟乙烯材料制成一個六面體形底座(3),并在該底座上表面上開設兩道相互平行、且水平間距在0.5~5mm之間的凹槽;
B、取一個上部開口的筒狀玻璃容器(4),將底座的下表面固定在該玻璃容器底部;
C、采用極性基底材料制成兩塊形狀結構均相同、且底部與凹槽相匹配的極性基底材料板,然后將其分別卡接到底座上的兩個凹槽中,記為第一基底板(1)和第二基底板(2);
D、在第一基底板頂部設置第一導線(5),在第二基底板頂部設置第二導線(6),且第一導線和第二導線端部均與外界電源和開關相連,構成以電源、開關、第一導線、第一基底板、底座、第二基底板、第二導線串聯的電回路;使開關處于斷開狀態;
3)將薄膜原料液從玻璃容器開口處倒入電荷輔助沉積裝置的玻璃容器中,至薄膜原料液浸沒第一基底板和第二基底板;
4)通電:閉合開關,給第一基底板和第二基底板施加電壓,電壓大小以兩個基底之間電場強度在0.5×106~5×106v/m之間為準,24~96小時后,即可得到沉積在第一基底板上的有機薄膜,且得到的有機薄膜沉積厚度在1000納米~3000納米之間。
2.根據權利要求1所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟1)中,有機薄膜的原材料單體可溶于溶劑。
3.根據權利要求1或2所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟1)中,有機薄膜的原材料為氯化硼亞酞菁。
4.根據權利要求3所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟1)中,將氯化硼亞酞菁溶于氯苯溶劑中,配置成飽和溶液,得到氯化硼亞酞菁薄膜原料液。
5.根據權利要求4所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2)中,底座(3)為長方體形底座。
6.根據權利要求5所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2)中,極性基底材料為硅片、石英玻璃、ITO或FTO。
7.根據權利要求4~6任意一項所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2)中,外界電源為市電電源或充電電源。
8.根據權利要求7所述的一種具有陣列結構的有機薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟4)中,電壓施加時長與得到的有機薄膜沉積厚度成正比。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





