[發明專利]聲波設備及其晶圓級封裝方法

有效

• 申請號: 201710132927.4
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN106888002B
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 陳高鵬;劉海玲
• 申請（專利權）人: 宜確半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/10;H03H9/54;H03H9/70;H03H9/72;H01L23/055;H01L25/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉劍波

1.一種聲波設備，其特征在于，包括基底和聲波器件，其中：

所述基底上設有腔體，所述腔體包括第一腔室和位于第一腔室下方的第二腔室，其中所述第二腔室的橫向寬度小于所述第一腔室的橫向寬度；

所述聲波器件設置在所述第一腔室中，以便所述第二腔室成為密閉腔室，其中所述聲波器件通過膠粘方式設置在所述第一腔室中，所述聲波器件與所述第一腔室的側壁之間填充有聚酯化合物；

在所述第二腔室外部，所述聲波器件的管腳焊盤與所述基底上對應的通孔連接，以便引出所述聲波器件的管腳。

2.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述通孔為金屬材料。

3.根據權利要求2所述的聲波設備，其特征在于，

所述金屬材料為金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、鈀或錫。

4.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波器件的上表面與所述基底的上表面在同一水平面上。

5.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波器件的管腳焊盤為鋁凸柱或銅凸柱。

6.根據權利要求1所述的聲波設備，其特征在于，

所述聲波器件包括聲表面波SAW濾波器、體聲波BAW濾波器或薄膜體聲波FBAR濾波器，或者包括聲表面波SAW雙工器、體聲波BAW雙工器或薄膜體聲波FBAR雙工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技術制造的器件。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的聲波設備，其特征在于，還包括基板，其中：

所述基底設置在基板上。

8.根據權利要求7所述的聲波設備，其特征在于，還包括設置在所述基板上的與所述聲波器件異質的電子器件，其中：

電子器件的管腳焊盤與所述聲波設備的管腳焊盤連接，其中所述聲波設備的管腳焊盤位于所述基底的下表面，并與所述基底上對應的通孔連接。

9.根據權利要求8所述的聲波設備，其特征在于，所述聲波設備的管腳焊盤為鋁凸柱，銅凸柱或錫球。

10.根據權利要求8所述的聲波設備，其特征在于，

電子器件的管腳焊盤具體通過金屬走線，與所述聲波設備的管腳焊盤連接。

11.根據權利要求8所述的聲波設備，其特征在于，

所述電子器件包括基于GaAs HBT工藝、GaAs pHEMT工藝或GaN工藝的射頻功率放大器，基于GaAs pHEMT工藝的低噪聲放大器，基于GaAs pHEMT工藝的開關，基于IPD工藝的濾波器中的至少一個。

12.根據權利要求8所述的聲波設備，其特征在于，

所述電子器件包括射頻功率放大器的驅動級電路、開關電路、電源跟蹤和包絡跟蹤電路、直流-直流轉換電路、模數轉換電路、數模轉換電路中的至少一個。

13.一種聲波設備的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

在基底上設置腔體，其中所述腔體包括第一腔室和位于第一腔室下方的第二腔室，其中所述第二腔室的橫向寬度小于所述第一腔室的橫向寬度；

將聲波器件設置在所述第一腔室中，以便所述第二腔室成為密閉腔室；

在所述第二腔室外部，將所述聲波器件的管腳焊盤與所述基底上對應的通孔連接，以便引出所述聲波器件的管腳；

其中，將所述聲波器件通過膠粘方式設置在所述第一腔室中；

在所述聲波器件與所述第一腔室的側壁之間填充有聚酯化合物。

14.根據權利要求13所述的封裝方法，其特征在于，

將所述聲波器件的上表面與所述基底的上表面設置在同一水平面上。