[發明專利]隔離型高頻低損驅動電路

有效

• 申請號: 201710132275.4
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106877635B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 吳新科;秦偉;邱凱
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02M1/32
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

1.一種隔離型高頻低損驅動電路，包括簡化為開關管M的MOSFET；其特征在于，

該驅動電路還包括方波電源、諧振電感、初級繞組和第一次級繞組；其中，方波電源、諧振電感和初級繞組串聯連接；第一次級繞組的一端接到開關管M的門極，開關管M的源極接到第一次級繞組的另一端；初級繞組和第一次級繞組繞在同一個磁芯上構成變壓器T₁；

在變壓器上設置箝位繞組T_1c，用于實現對開關管M的門極源極電壓的箝位；箝位繞組通過箝位電路網絡連接至箝位電壓源，所述箝位電路網絡是全橋整流電路、中心抽頭整流電路或倍壓整流電路；

所述MOSFET的具體模型中還包括柵源電容C_gs、柵漏電容C_gd、漏源電容C_ds以及體二極管，MOSFET的共源輸入電容C_iss為柵源電容與柵漏電容之和。

2.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，所述開關管M有兩個且每個開關管的驅動電壓均為正弦半波，另配置兩個輔助的開關管；其中，第一次級繞組的一端接到第一開關管和第二輔助管的門極以及第一輔助管的漏極，第一次級繞組的另一端接到第二開關管和第一輔助管的門極以及第二輔助管的漏極，四個開關管的源極接在一起；第一輔助管與第二輔助管的開通閾值，低于第一開關管與第二開關管的開通閾值。

3.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，所述開關管M有兩個且每個開關管的驅動電壓均為正弦半波，另配置兩個輔助的開關管和兩個驅動電阻；其中，第一次級繞組的一端接到第一開關管的門極、第二驅動電阻的一端以及第一輔助管的漏極，第二驅動電阻的另一端接到第二輔助管的門極；第一次級繞組的另一端接到第二開關管的門極、第一驅動電阻的一端以及第二輔助管的漏極，第一驅動電阻的另一端接到第一輔助管的門極，四個開關管的源極接在一起；第一輔助管與第二輔助管的開通閾值，低于第一開關管與第二開關管的開通閾值。

4.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，所述開關管M有一個且該開關管的驅動電壓為正弦半波，另配置兩個輔助的開關管和一個輔助電容；其中，第一次級繞組的一端接到第一開關管和第二輔助管的門極以及第一輔助管的漏極；第一次級繞組的另一端接到第一輔助管的門極以及第二輔助管的漏極，三個開關管的源極接在一起，輔助電容并接在第二輔助管的漏極和源極；第一輔助管和第二輔助管的開通閾值低于第一開關管的開通閾值，輔助電容的容值與第一開關管的柵源電容C_gs的容值相近，且誤差不大于±40％。

5.據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，所述開關管M有兩個且每個開關管的驅動電壓均為正弦半波，另配置四個輔助的開關管，第一次級繞組由兩個互補繞組組成；其中，第一互補繞組的同名端接到第一開關管和第二輔助管的門極以及第一輔助管的漏極，第一互補繞組的非同名端接到第一輔助管的門極以及第二輔助管的漏極，三個開關管的源極接在一起；第二互補繞組的非同名端接到第二開關管和第四輔助管的門極以及第三輔助管的漏極，第二互補繞組的同名端接到第三輔助管的門極以及第四輔助管的漏極，三個開關管的源極接在一起；初級繞組和兩個互補繞組繞在同一個磁芯上構成變壓器T₁，四個輔助管的開通閾值低于兩個開關管的開通閾值。

6.根據權利要求1至5任意一項中所述的驅動電路，其特征在于，所述方波電源是通過全橋拓撲、半橋拓撲、推挽拓撲、有源箝位拓撲或原邊箝位拓撲實現的。

7.根據權利要求1至5任意一項中所述的驅動電路，其特征在于，所述諧振電感是變壓器漏感或外加電感。