[發明專利]變容二極管及其形成方法

有效

• 申請號: 201710132009.1
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108574017B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 王楠;潘梓誠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/93
• 分類號: H01L29/93;H01L21/329
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種變容二極管，其特征在于，包括：一半導體襯底；一形成于所述半導體襯底上的第一導電層；一形成于所述第一導電層上的絕緣層；一形成于所述絕緣層上的第二導電層；所述第一導電層和所述第二導電層通過所述絕緣層相隔離，并且，所述第一導電層連接至一第一端子，所述半導體襯底連接至一第二端子，所述第二導電層連接至一第三端子，其中所述第二端子和所述第三端子為同一端子，所述第二導電層延伸至所述半導體襯底上，并與所述半導體襯底接觸以連接至同一端子。

2.如權利要求1所述的變容二極管，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層均為摻雜的半導體材料層。

3.如權利要求2所述的變容二極管，其特征在于，所述第一導電層的摻雜濃度小于所述第二導電層的摻雜濃度。

4.如權利要求2所述的變容二極管，其特征在于，所述第一導電層的摻雜濃度為1e13～1e17atom/cm3；所述第二導電層的摻雜濃度為1e17～1e20atom/cm3。

5.如權利要求2所述的變容二極管，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層均為第一摻雜類型，所述半導體襯底為第二摻雜類型，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。

6.如權利要求2所述的變容二極管，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層均為摻雜的多晶硅層。

7.如權利要求1所述的變容二極管，其特征在于，所述半導體襯底中形成有一源極區和一漏極區，所述源極區和所述漏極區分別位于所述第一導電層的兩側，所述源極區和所述漏極區均連接至所述第二端子。

8.如權利要求7所述的變容二極管，其特征在于，所述源極區和所述漏極區均與所述第二導電層接觸并連接至同一端子。

9.如權利要求1所述的變容二極管，其特征在于，所述絕緣層包括：位于所述第一導電層側壁上的側墻，以及位于所述第一導電層上的硬掩膜層。

10.一種變容二極管的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有一第一導電層和形成于所述第一導電層上的一絕緣層；

在所述絕緣層上形成一第二導電層，所述第二導電層與所述第一導電層相隔離；

分別形成一第一端子、一第二端子和一第三端子，所述第一導電層連接至所述第一端子，所述半導體襯底連接至所述第二端子，所述第二導電層連接至所述第三端子，其中所述第二端子和所述第三端子為同一端子，所述第二導電層延伸至所述半導體襯底上，并與所述半導體襯底接觸以連接至同一端子。

11.如權利要求10所述的變容二極管的形成方法，其特征在于，在形成第二導電層之后，還包括：

執行離子注入工藝，對所述第一導電層和所述第二導電層進行離子摻雜。

12.如權利要求11所述的變容二極管的形成方法，其特征在于，所述第一導電層和所述第二導電層均為第一摻雜類型，所述半導體襯底為第二摻雜類型，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反。

13.如權利要求10所述的變容二極管的形成方法，其特征在于，在離子注入工藝中，還包括：

對所述第一導電層兩側的半導體襯底進行離子摻雜，分別形成一源極區和一漏極區，所述源極區和所述漏極區均連接至所述第二端子。

14.如權利要求13所述的變容二極管的形成方法，其特征在于，所述源極區和所述漏極區均與所述第二導電層接觸并連接至同一端子。