[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710131977.0
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN107871716B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 池田靖;串間宇幸;大久保真司;宮崎高彰
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立功率半導(dǎo)體
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/60
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊(yùn);金成哲

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

絕緣基板，其具備第一面和位于上述第一面的相反側(cè)的第二面，且在上述第一面設(shè)有多個(gè)配線部；

半導(dǎo)體芯片，其搭載于多個(gè)上述配線部中的其中任一個(gè)配線部上；以及

樹脂部，其配置在多個(gè)上述配線部的每一個(gè)的周圍，

多個(gè)上述配線部中的其中任一個(gè)配線部的側(cè)面具備：形成有鍍膜的第一區(qū)域；以及第二區(qū)域，其位于比上述第一區(qū)域遠(yuǎn)離上述絕緣基板的上述第一面的方向，且未形成上述鍍膜，

上述樹脂部與上述鍍膜及上述絕緣基板的上述第一面接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述側(cè)面在上述第一區(qū)域與上述第二區(qū)域之間具備第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有由金屬制的凹凸構(gòu)成的金屬凹凸部，

上述樹脂部與上述金屬凹凸部、上述鍍膜、以及上述絕緣基板的上述第一面接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一區(qū)域的面積比上述第三區(qū)域大。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述金屬凹凸部是由金屬粒子形成的凹凸部。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述金屬凹凸部由多孔金屬膜構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述鍍膜與上述絕緣基板的上述第一面相接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述絕緣基板為陶瓷基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述配線部由以Cu為主成分的合金構(gòu)成，

上述鍍膜為Ni類鍍膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

多個(gè)上述配線部中的所有的上述配線部的側(cè)面均具備上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述側(cè)面在上述第一區(qū)域與上述第二區(qū)域之間具備第三區(qū)域，該第三區(qū)域具有由金屬制的凹凸構(gòu)成的金屬凹凸部，

上述絕緣基板經(jīng)由焊錫而裝配于金屬板，

上述金屬板是在與上述焊錫的接合部位具有Ni類鍍膜的Cu板、AlSiC板或者M(jìn)gSiC板，

上述金屬凹凸部是由Ni粒子構(gòu)成的凹凸部。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

形成上述樹脂部的樹脂為聚酰胺酰亞胺類樹脂。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

搭載于鐵道車輛中所設(shè)置的逆變器。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

搭載于汽車的車身中所設(shè)置的逆變器。