[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710131890.3
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106847892B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 張慧;林允植;嚴允晟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管，包括：源極金屬層，在所述源極金屬層之上的第一絕緣層，在所述第一絕緣層之上的漏極金屬層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：有源層和歐姆接觸層，所述有源層通過所述歐姆接觸層與所述源極金屬層和所述漏極金屬層相連；其中，所述歐姆接觸層包括第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層包括位于所述第一絕緣層兩側第一部分區域和第二部分區域；

所述第二歐姆接觸層位于所述第一絕緣層與所述漏極金屬層之間；

所述薄膜晶體管還包括：

位于所述有源層之上的第二絕緣層；

位于所述第二絕緣層之上的柵極金屬層；

所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層在同一工藝流程中形成。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層包括分別位于所述第一絕緣層兩側的第一部分有源層和第二部分有源層，第一部分有源層位于第一歐姆接觸層的第一部分區域與第二歐姆接觸層之間，第二部分有源層位于第一歐姆接觸層的第二部分區域與第二歐姆接觸層之間。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層包括非晶硅，和/或所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層包括電子型摻雜非晶硅。

4.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1～3任一權利要求所述的薄膜晶體管。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求4所述的陣列基板。

6.一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在源極金屬層之上設置第一絕緣層；在所述第一絕緣層之上設置漏極金屬層，其特征在于，該方法還包括：設置有源層和歐姆接觸層，所述有源層通過歐姆接觸層與所述源極金屬層和所述漏極金屬層相連；其中，所述歐姆接觸層包括第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層包括位于所述第一絕緣層兩側第一部分區域和第二部分區域；所述第二歐姆接觸層位于所述第一絕緣層與所述漏極金屬層之間；

所述方法還包括在所述有源層之上形成第二絕緣層以及在所述第二絕緣層之上形成柵極的步驟；

所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層在同一工藝流程中形成。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有源層在形成所述歐姆接觸層和漏極金屬層之后形成的。