[發明專利]反應腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201710131861.7
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108573845B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 佘清;張彥召;趙夢欣
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括法拉第屏蔽環和用于支撐所述法拉第屏蔽環的絕緣環，其特征在于，在所述絕緣環的支撐面設置有凹部，且在所述法拉第屏蔽環的被支撐面設置有凸部，所述凸部位于所述凹部內，其中，

所述凹部包括朝外方向的第一側面，所述凸部包括朝內方向的第二側面，所述第一側面和第二側面相貼合；

所述凹部被設置為使所述凸部在受熱膨脹時不受所述凹部的限制。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述凹部為在所述絕緣環的支撐面的邊沿形成的臺階。

3.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述凹部還包括朝內方向的第三側面，所述凸部包括朝外方向的第四側面；并且，

所述第三側面與所述第四側面相對，且在二者之間具有第一間隙，并且所述第一間隙在水平方向上的寬度滿足使所述凸部在受熱膨脹時不受所述凹部的限制。

4.根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述第一間隙在水平方向上的寬度大于3mm。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述凹部和所述凸部均為閉合的環體；或者，

所述凹部由多個弧形的子凹部組成，且所述多個子凹部沿所述絕緣環的周向間隔分布；所述凸部由多個弧形的子凸部組成，且所述子凸部的數量與所述子凹部的數量相對應，并且各個所述子凸部一一對應地位于所述子凹部內。

6.根據權利要求1-4任意一項所述的反應腔室，其特征在于，在所述法拉第屏蔽環的被支撐面還設置有環形延伸部，所述環形延伸部豎直向下延伸至所述絕緣環的環孔中；并且，在所述環形延伸部的外周面與所述絕緣環的內環面之間具有第二間隙，并且所述第二間隙在水平方向上的寬度滿足使所述環形延伸部在受熱膨脹時不受所述絕緣環的限制。

7.根據權利要求6所述的反應腔室，其特征在于，所述第二間隙在水平方向上的寬度大于3mm。

8.一種半導體加工設備，包括反應腔室、射頻線圈和射頻電源，其中，所述反應腔室的腔室壁采用絕緣材料制作；所述射頻線圈設置在所述反應腔室的腔室壁外側，且與所述射頻電源電連接；所述射頻電源用于向所述射頻線圈輸送射頻功率，其特征在于，所述反應腔室采用權利要求1-7任意一項所述的反應腔室，所述法拉第屏蔽環設置在所述反應腔室的腔室壁內側；并且，在所述反應腔室內設置有用于承載被加工工件的基座。

9.根據權利要求8所述的半導體加工設備，其特征在于，還包括第一內襯和第二內襯，其中，

所述第一內襯環繞設置在所述反應腔室的腔室壁內側，且位于所述法拉第屏蔽環的上方，用以遮擋所述法拉第屏蔽環的上端與所述反應腔室的腔室壁之間的間隙；

所述第二內襯環繞設置在所述反應腔室的腔室壁內側，且位于所述絕緣環的下方，用以遮擋所述絕緣環與所述基座之間的間隙。

10.根據權利要求9所述的半導體加工設備，其特征在于，在所述第二內襯上還設置有遮擋環，用以遮擋所述第二內襯與所述基座之間的間隙。