[發(fā)明專利]雙極性晶體管裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710131856.6
• 申請(qǐng)日: 2017-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN107104100B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯明道;吳偉琳;彭政杰;姜信欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶焱科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種雙極性晶體管裝置，其特征在于，包含：

一基板；

至少一第一晶體管單元，包含：

一第一摻雜井區(qū)，其為第一導(dǎo)電型，該第一摻雜井區(qū)設(shè)于該基板中；

至少一第一鰭式結(jié)構(gòu)，包含：

多個(gè)第一摻雜鰭，其均勻設(shè)于該第一摻雜井區(qū)中并沿第一方向設(shè)置，每一該第一摻雜鰭具有一第一摻雜區(qū)與兩個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)，該第一摻雜區(qū)為該第一導(dǎo)電型，該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)為第二導(dǎo)電型，每一該第一摻雜區(qū)設(shè)于其對(duì)應(yīng)的該兩個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)之間，該多個(gè)第一摻雜區(qū)與該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)于該第一摻雜井區(qū)中并從該基板的表面上凸出；以及

一第一閘極帶，設(shè)于該多個(gè)第一摻雜區(qū)的頂部與側(cè)壁及該基板的該表面上并沿與該第一方向相交的第二方向設(shè)置，且該第一閘極帶為浮接；以及

至少一第二鰭式結(jié)構(gòu)，包含：

多個(gè)第二摻雜鰭，其均勻設(shè)于該第一摻雜井區(qū)中并沿該第一方向設(shè)置，每一該第二摻雜鰭具有一第二摻雜區(qū)與二第二重?fù)诫s區(qū)，該第二摻雜區(qū)為該第一導(dǎo)電型，該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)為該第二導(dǎo)電型，每一該第二摻雜區(qū)設(shè)于其對(duì)應(yīng)的該兩個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)之間，該多個(gè)第二摻雜區(qū)與該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)于該第一摻雜井區(qū)中并從該基板的該表面上凸出；以及

一第二閘極帶，設(shè)于該多個(gè)第二摻雜區(qū)的頂部與側(cè)壁及該基板的該表面上并沿該第二方向設(shè)置，且該第二閘極帶為浮接，該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)、該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)與該第一摻雜井區(qū)形成多個(gè)第一雙載子接面晶體管，該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)連接一高電壓端，該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)連接一低電壓端，該高電壓端與該低電壓端的電壓對(duì)該多個(gè)第一雙載子接面晶體管進(jìn)行偏壓，以產(chǎn)生多個(gè)通過該多個(gè)第一雙載子接面晶體管的第一靜電放電電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，當(dāng)該第一導(dǎo)電型為P型時(shí)，該第二導(dǎo)電型為N型，當(dāng)該第一導(dǎo)電型為N型時(shí)，該第二導(dǎo)電型為P型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第二方向與該第一方向相互垂直。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第一鰭式結(jié)構(gòu)還包含兩個(gè)第一接觸電極，兩個(gè)第一接觸電極分別設(shè)于位于該多個(gè)第一摻雜區(qū)的相異兩側(cè)的該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)的頂部與側(cè)壁及該基板的該表面上，并沿該第二方向設(shè)置，該多個(gè)第一重?fù)诫s區(qū)通過該多個(gè)第一接觸電極連接該高電壓端；以及該第二鰭式結(jié)構(gòu)還包含兩個(gè)第二接觸電極，兩個(gè)第二接觸電極分別設(shè)于位于該多個(gè)第二摻雜區(qū)的相異兩側(cè)的該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)的頂部與側(cè)壁及該基板的該表面上，并沿該第二方向設(shè)置，該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)通過該多個(gè)第二接觸電極連接該低電壓端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第一閘極帶與該第二閘極帶的材質(zhì)為多晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第一鰭式結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該第二鰭式結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該多個(gè)第一鰭式結(jié)構(gòu)與該多個(gè)第二鰭式結(jié)構(gòu)為交替式設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第一鰭式結(jié)構(gòu)的數(shù)量為兩個(gè)，該第一晶體管單元還包含一第一摻雜區(qū)域，該第一摻雜區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電型，該第一摻雜區(qū)域設(shè)于該第一摻雜井區(qū)中，該第二鰭式結(jié)構(gòu)設(shè)于該多個(gè)第一鰭式結(jié)構(gòu)之間，該多個(gè)第二重?fù)诫s區(qū)與該多個(gè)第二摻雜區(qū)設(shè)于該第一摻雜區(qū)域中，該第二閘極帶設(shè)于該多個(gè)第一閘極帶之間，且該第二閘極帶連接該多個(gè)第一閘極帶。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙極性晶體管裝置，其特征在于，該第一摻雜區(qū)域?yàn)閾诫s井區(qū)。