[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制作方法

在審

• 申請號: 201710131802.X
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108573984A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 林杰;黃海英
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種CMOS圖像傳感器的制作方法，包括：

提供前端結構，所述前端結構形成有光電二極管阱區和圍繞所述光電二極管阱區的隔離環；

在所述隔離環上光電二極管阱區一側形成柵極，所述柵極位于所述光電二極管阱區和隔離環的交界處；

在所述柵極側壁形成第一側墻；

在所述第一側墻背離所述柵極的一側形成第二側墻；以及

以所述第一側墻和第二側墻為遮蔽在所述隔離環中形成浮動擴散區。

2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一側墻包括第一氧化層、第一氮化層和第二氧化層；所述第二側墻包括第二氮化層。

3.如權利要求2所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一側墻的厚度為所述第二側墻的厚度為

4.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在提供前端結構之后，在所述隔離環上光電二極管阱區一側形成柵極之前，還包括：

在所述隔離環中靠近光電二極管阱區一側邊緣處形成一束縛阱區。

5.如權利要求4所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述柵極形成于所述束縛阱區上。

6.如權利要求4所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，采用離子注入工藝形成所述束縛阱區。

7.如權利要求6所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，離子注入采用P型離子進行垂直注入，注入濃度為2E11/cm²-2E13/cm²，能量為100KeV-150KeV。

8.一種CMOS圖像傳感器，包括：

前端結構，所述前端結構包括光電二極管阱區和圍繞所述光電二極管阱區的隔離環；

位于所述隔離環上光電二極管阱區一側的柵極；

位于所述柵極側壁的第一側墻；

位于所述第一側墻背離所述柵極的一側的第二側墻；

位于所述隔離環中的浮動擴散區。

9.如權利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一側墻包括第一氧化層，第一氮化層和第二氧化層；所述第二側墻包括第二氮化層。

10.如權利要求9所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一側墻的厚度為所述第二側墻的厚度為

11.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括：

位于所述隔離環中靠近光電二極管阱區一側邊緣處的一束縛阱區。

12.如權利要求11所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述柵極位于所述束縛阱區上。

13.如權利要求11所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述束縛阱區為P型阱區。