[發(fā)明專利]用于雙端口靜態(tài)存儲器的寫輔助電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710131511.0
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106847334A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋俊華
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州中芯原微電子有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419;G11C7/10;G11C8/16
• 代理公司: 江陰大田知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32247
• 代理人: 陳建中

1.用于雙端口靜態(tài)存儲器的寫輔助電路，所述雙端口靜態(tài)存儲器包括雙端口存儲單元，所述雙端口存儲單元包括：A端口字元線、A端口位元線、A端口反相位元線、B端口字元線、B端口位元線以及B端口反相位元線；其特征在于：

所述寫輔助電路包括：將A端口位元線和B端口位元線鎖定在低電平的位元線低電平鎖定模塊，將A端口反相位元線和B端口反相位元線鎖定在高電平的反相位元線高電平鎖定模塊，將A端口反相位元線和B端口反相位元線鎖定在低電平的反相位元線低電平鎖定模塊，將A端口位元線和B端口位元線鎖定在高電平的位元線高電平鎖定模塊，A端口寫入使能控制線，以及B端口寫入使能控制線；

所述位元線低電平鎖定模塊包括：第一反相器、第一NMOS管、第二反相器以及第二NMOS管；第一反相器的輸入端與A端口位元線連接，第一反相器的輸出端與第一NMOS管的柵極連接，第一NMOS管的源極接地，第一NMOS管的漏極與B端口位元線連接；第二反相器的輸入端與B端口位元線連接，第二反相器的輸出端與第二NMOS管的柵極連接，第二NMOS管的源極接地，第二NMOS管的漏極與A端口位元線連接；

所述反相位元線高電平鎖定模塊包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管；第一PMOS管的柵極與A端口位元線連接，第一PMOS管的源極連接電壓源，第一PMOS管的漏極與第二PMOS管的源極連接，第二PMOS管的柵極與A端口寫入使能控制線連接，第二PMOS管的漏極與B端口反相位元線連接；第三PMOS管的柵極與B端口位元線連接，第三PMOS管的源極連接電壓源，第三PMOS管的漏極與第四PMOS管的源極連接，第四PMOS管的柵極與B端口寫入使能控制線連接，第四PMOS管的漏極與A端口反相位元線連接；

所述反相位元線低電平鎖定模塊包括：第三反相器、第三NMOS管、第四反相器以及第四NMOS管；第三反相器的輸入端與A端口反相位元線連接，第三反相器的輸出端與第三NMOS管的柵極連接，第三NMOS管的源極接地，第三NMOS管的漏極與B端口反相位元線連接；第四反相器的輸入端與B端口反相位元線連接，第四反相器的輸出端與第四NMOS管的柵極連接，第四NMOS管的源極接地，第四NMOS管的漏極與A端口反相位元線連接；

所述位元線高電平鎖定模塊包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管以及第八PMOS管；第五PMOS管的柵極與A端口反相位元線連接，第五PMOS管的源極連接電壓源，第五PMOS管的漏極與第六PMOS管的源極連接，第六PMOS管的柵極與A端口寫入使能控制線連接，第六PMOS管的漏極與B端口位元線連接；第七PMOS管的柵極與B端口反相位元線連接，第七PMOS管的源極連接電壓源，第七PMOS管的漏極與第八PMOS管的源極連接，第八PMOS管的柵極與B端口寫入使能控制線連接，第八PMOS管的漏極與A端口位元線連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于雙端口靜態(tài)存儲器的寫輔助電路，其特征在于，所述雙端口存儲單元還包括栓鎖電路，該栓鎖電路的一輸入節(jié)點(diǎn)耦接至A端口位元線和B端口位元線，該栓鎖電路的另一輸入節(jié)點(diǎn)耦接至A端口反相位元線和B端口反相位元線。