[發(fā)明專利]一種集成門極換流晶閘管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710131429.8 | 申請日: | 2017-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN106876452B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐龍谷;劉可安;陳芳林;陳勇民;郭潤慶;高建寧 | 申請(專利權(quán))人: | 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/417 | 分類號: | H01L29/417;H01L29/74 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 412001 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 換流 晶閘管 | ||
1.一種集成門極換流晶閘管,其特征在于,包括門極電極和多個(gè)環(huán)繞所述門極電極設(shè)置的陰極梳條結(jié)構(gòu),所述陰極梳條結(jié)構(gòu)包括至少兩層臺階的門陰極結(jié),所述門陰極結(jié)的最低層臺階設(shè)置在所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的P區(qū)內(nèi),所述最低層臺階的寬度隨著與所述門極電極的間距增加而減少,所述門陰極的最低層臺階的寬度為0~1000μm,相鄰所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的最低層臺階的寬度差為0~200μm。
2.如權(quán)利要求1所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,相鄰所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的最低層臺階的寬度線性減少。
3.如權(quán)利要求1-2任意一項(xiàng)所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,相鄰所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極面積隨著與所述門極電極的間距增加而減少。
4.如權(quán)利要求3所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極寬度恒定。
5.如權(quán)利要求4所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極形狀為矩形。
6.如權(quán)利要求3所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極寬度隨著與所述門極電極的間距增加而減少。
7.如權(quán)利要求6所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極寬度隨著與所述門極電極的間距增加而線性減少。
8.如權(quán)利要求7所述集成門極換流晶閘管,其特征在于,所述陰極梳條結(jié)構(gòu)的陰極形狀為等腰梯形。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





