[發(fā)明專利]一種薄膜體聲波諧振器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710131321.9 | 申請日： | 2017-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN106788306A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張樹民;王國浩;陳海龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州左藍(lán)微電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜 聲波 諧振器 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜體聲波諧振器，包括基片及形成在所述基片上的空氣隙、覆蓋在所述空氣隙上方的壓電三明治結(jié)構(gòu)，所述壓電三明治結(jié)構(gòu)包括依次堆疊的第一電極、壓電層、第二電極；其中，所述壓電層為壓電單晶，所述第一電極介于所述壓電單晶的第一表面與所述基片之間，所述第二電極位于所述壓電單晶的第二表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述壓電單晶與所述基片之間還包括鍵合層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述壓電單晶包括壓電石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰或四硼酸鋰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：還包括形成在所述壓電單晶的第二表面的互連層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述互連層將所述第一電極引出至所述壓電單晶的第二表面。
6.一種薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
制備帶有空氣隙的基片；
沉積犧牲層，所述犧牲層填充所述空氣隙；
沉積電極層，并圖形化所述電極層，形成覆蓋于所述空氣隙上方的壓電三明治結(jié)構(gòu)的第一電極層；
選擇壓電單晶并鍵合所述壓電單晶與所述基片；
減薄并拋光所述壓電單晶至預(yù)定厚度；
在所述壓電單晶表面沉積并圖形化第二電極層；
去除所述犧牲層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于：在沉積完犧牲層之后，還包括拋光犧牲層的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于：所述犧牲層材料包括PEC、PPC或PNB。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于：去除所述犧牲層步驟包括采用熱分解方法。
10.一種濾波器，包括權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜體聲波諧振器或者權(quán)利要求6-9任一項所制備的薄膜體聲波諧振器。
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