[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710131234.3
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108573927B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L21/28;H01L21/762;H01L27/11;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)，所述第三區(qū)位于所述第一區(qū)和第二區(qū)之間；

形成從第一區(qū)延伸至第二區(qū)的偽柵結(jié)構(gòu)，所述偽柵結(jié)構(gòu)貫穿所述第三區(qū)；

分別在所述第一區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)形成第一源漏摻雜區(qū)；

分別在所述第二區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)形成第二源漏摻雜區(qū)；

形成所述第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)之后，形成貫穿所述偽柵結(jié)構(gòu)的介質(zhì)開口，所述介質(zhì)開口暴露出第三區(qū)的基底；

在所述介質(zhì)開口內(nèi)形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的頂部表面與偽柵結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏摻雜區(qū)之前，還包括：在所述第二區(qū)基底、第三區(qū)基底、第三區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)和第二區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)上形成第一保護(hù)層；所述第一保護(hù)層的厚度為：6納米～10納米。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層的形成步驟包括：在所述第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)的基底以及偽柵結(jié)構(gòu)上形成第一保護(hù)膜；去除位于所述第一區(qū)基底以及第一區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)上的第一保護(hù)膜，形成第一保護(hù)層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一源漏摻雜區(qū)的形成步驟包括：采用刻蝕工藝在所述第一區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)形成第一開口；采用選擇性外延沉積工藝在所述第一開口內(nèi)形成外延層；在所述外延層內(nèi)摻雜P型離子或N型離子，形成所述第一源漏摻雜區(qū)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第二源漏摻雜區(qū)之前，還包括：在所述第一區(qū)基底、第三區(qū)基底、第一區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)和第三區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)上形成第二保護(hù)層；所述第二保護(hù)層的厚度為：6納米～10納米。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層的形成步驟包括：在所述第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)的基底以及偽柵結(jié)構(gòu)上形成第二保護(hù)膜；去除位于所述第二區(qū)基底以及第二區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)上的第二保護(hù)膜，形成第二保護(hù)層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二源漏摻雜區(qū)的形成步驟包括：采用刻蝕工藝在所述第二區(qū)偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)形成第二開口；采用選擇性外延沉積工藝在所述第二開口內(nèi)形成外延層；在所述外延層內(nèi)摻雜P型離子或N型離子，形成所述第二源漏摻雜區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)開口在沿偽柵結(jié)構(gòu)延伸方向上的尺寸為：20納米～40納米。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質(zhì)層之后，還包括：去除偽柵結(jié)構(gòu)形成偽柵開口。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述偽柵結(jié)構(gòu)包括：偽柵極層；去除所述偽柵結(jié)構(gòu)的步驟包括：去除偽柵極層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述偽柵結(jié)構(gòu)還包括：偽柵介質(zhì)層；所述偽柵極層位于所述偽柵介質(zhì)層上；去除所述偽柵結(jié)構(gòu)的步驟還包括：去除偽柵極層之后，去除偽柵介質(zhì)層。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成層間介質(zhì)層之前，還包括：在所述介質(zhì)開口的側(cè)壁形成第一側(cè)墻。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的材料包括：氮化硅；所述第一側(cè)墻的厚度為：2納米～3納米。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第一側(cè)墻之前，還包括：在所述介質(zhì)開口側(cè)壁上形成第二側(cè)墻。