[發明專利]光掩模及其制造方法

有效

• 申請號: 201710131022.5
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN108459461B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 賴義凱
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/56;G03F1/76;G03F1/68
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種光掩模，包括：

基板；

擋光主圖案，設置于該基板上；以及

多個次解析輔助圖案，設置于該基板上，且位于該擋光主圖案的至少一側，其中相鄰兩個次解析輔助圖案的間距等于各該次解析輔助圖案的寬度，且該多個次解析輔助圖案的透光率為100％，

該多個次解析輔助圖案的材料包括混合有機硅氧烷聚合物、甲基硅倍半氧烷或氫硅倍半氧烷。

2.如權利要求1所述的光掩模，其中該基板的材料包括石英。

3.如權利要求1所述的光掩模，其中該擋光主圖案為一單層結構或一多層結構。

4.如權利要求1所述的光掩模，其中在該擋光主圖案為多層結構的情況下，該擋光主圖案包括：

第一擋光圖案；以及

第二擋光圖案，設置于該第一擋光圖案上。

5.如權利要求4所述的光掩模，其中該第一擋光圖案的材料包括相移材料。

6.如權利要求4所述的光掩模，其中該第一擋光圖案的材料包括金屬硅化物、金屬氟化物、金屬硅氧化物、金屬硅氮化物、金屬硅氮氧化物、金屬硅碳氧化物、金屬硅碳氮化物、金屬硅碳氮氧化物、合金薄層、金屬薄層或其組合。

7.如權利要求4所述的光掩模，其中該第一擋光圖案的透光率為4％至20％。

8.如權利要求4所述的光掩模，其中該第二擋光圖案的材料包括鉻。

9.如權利要求4所述的光掩模，其中該第二擋光圖案的透光率為0。

10.一種光掩模的制造方法，包括：

在一基板上形成一擋光主圖案；以及

在該基板上形成多個次解析輔助圖案，其中該多個次解析輔助圖案位于該擋光主圖案的至少一側，相鄰兩個次解析輔助圖案的間距等于各該次解析輔助圖案的寬度，且該多個次解析輔助圖案的透光率為100％，

該多個次解析輔助圖案的材料包括混合有機硅氧烷聚合物、甲基硅倍半氧烷或氫硅倍半氧烷。

11.如權利要求10所述的光掩模的制造方法，其中該擋光主圖案的制造方法包括：

在該基板上形成一第一擋光層；

在該第一擋光層上形成一第二擋光層；

在該第二擋光層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層；

移除未被該第一圖案化光致抗蝕劑層所覆蓋的該第二擋光層與該第一擋光層，而形成一第二擋光圖案與一第一擋光圖案；以及

移除該第一圖案化光致抗蝕劑層。

12.如權利要求11所述的光掩模的制造方法，其中該擋光主圖案的制造方法還包括：

形成一第二圖案化光致抗蝕劑層，其中該第二圖案化光致抗蝕劑層暴露出該第二擋光圖案；

移除該第二圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的該第二擋光圖案；以及

移除該第二圖案化光致抗蝕劑層。

13.如權利要求10所述的光掩模的制造方法，其中該擋光主圖案的制造方法包括：

在該基板上形成一擋光層；

在該擋光層上形成一圖案化光致抗蝕劑層；

移除未被該圖案化光致抗蝕劑層所覆蓋的該擋光層，而形成該擋光主圖案；以及

移除該圖案化光致抗蝕劑層。

14.如權利要求10所述的光掩模的制造方法，其中該多個次解析輔助圖案的制造方法包括：

在該基板上形成一次解析輔助圖案層；

對該次解析輔助圖案層進行一局部照射制作工藝，而在該次解析輔助圖案層中形成該多個次解析輔助圖案；以及

進行一顯影制作工藝，以移除未進行該局部照射制作工藝的該次解析輔助圖案層。