[發明專利]石墨烯層的形成方法

在審

• 申請號: 201710130749.1
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN107792849A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 涂志強;陳俊郎
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C01B32/194
• 分類號: C01B32/194
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司32243
• 代理人: 顧伯興

技術領域

本發明的實施例涉及一種石墨烯層的形成方法。

背景技術

隨著半導體產業進展到追求更高裝置密度、更高性能及更低成本的納米技術，已對半導體制造中使用的光刻工具提出了更嚴格的要求。已利用例如極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻等技術來支持更小集成電路(IC)裝置的臨界尺寸(critical dimension，CD)需求。極紫外光刻使用波長為約1納米至100納米(例如13.5納米)的極紫外區中的輻射，所述波長比深紫外(deep ultraviolet，DUV)光刻(例如，193納米光刻)中的波長短得多。極紫外光刻使用朝向目標物(例如硅晶片)反射來自輻射源的極紫外輻射的掩模(或掩模版(reticle))，從而將來自所述掩模的圖案轉移至所述目標物。極紫外掩模的表面上的任何缺點(以及嵌入極紫外掩模中的缺點)可在所述目標物上造成成像缺點。因此，在光刻工藝期間保護極紫外掩模表面是重要的。

與傳統上采用薄膜來保護掩模表面的深紫外光刻中使用的掩模不同，當前難以大規模地制造用于極紫外掩模的有效薄膜。一個原因在于極紫外輻射的波長非常短且傳統薄膜的隔膜將會大量吸收所述極紫外輻射，以致所述隔膜將在幾次使用之后因過熱而變形，且還將實質上減少到達所述目標物的極紫外能量。因而，期望在這些方面得到改善。

發明內容

本發明的實施例提供一種石墨烯層的形成方法。所述方法包括：在襯底之上沉積第一材料層；以及在所述第一材料層之上沉積石墨烯層，從而形成第一組件。所述方法還包括：將載體附著至所述石墨烯層；自所述第一組件移除所述襯底；以及自所述第一組件移除所述第一材料層。

附圖說明

通過結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本發明的各方面。要強調的是，根據所述產業中的標準慣例，各種特征并未按比例繪制。實際上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是可自本發明的各方面獲益的光刻系統的簡化示意圖。

圖2是說明根據本發明的各方面，一種制作在極紫外光刻系統中使用的薄膜的方法的流程圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F、圖3G、圖3I及圖3J是根據本發明的某些實施例，設備在各種制作階段期間的剖視圖。

圖3H說明根據本發明的某些實施例，圖3I及圖3J所示設備的局部剖視圖及局部透視圖。

[符號的說明]

100：極紫外光刻系統

102：輻射源

104：輻射束

106：聚光器光學器件

107：薄膜組件

108：掩模

109：薄膜隔膜

110：掩模載物臺

111：薄膜框架

112：投影光學器件

114：目標物載物臺

116：目標物

200：方法

202、204、206、208、210、212、214、216、218：操作

302：襯底

304：第一材料層

304a：表面

306：石墨烯層

306a：表面

306b：表面

307：碳原子

308：組件

314：載體

316：薄膜框架

316a：敞開側面

316b：敞開側面

318：防護罩

319：薄膜組件

H：高度

z：軸

具體實施方式

以下公開內容提供用于實作所提供主題的不同特征的許多不同的實施例或實例。以下闡述部件及排列的具體實例以簡化本公開內容。當然，這些具體實例僅為實例，且并非旨在進行限制。例如，在以下說明中將第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征與第二特征被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中所述第一特征與所述第二特征之間可形成有附加特征以使得所述第一特征與所述第二特征可能不直接接觸的實施例。另外，本公開內容可在各種實例中重復參考編號及/或字母。這種重復是出于簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關系。