[發(fā)明專利]釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710128603.3 | 申請日： | 2017-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN107043249A | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 袁國棟;喬栓虎;陳世偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東統(tǒng)一陶瓷科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/14 | 分類號： | C04B35/14;C04B41/86 |
| 代理公司： | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司37212 | 代理人： | 任永哲,馬俊榮 |
| 地址： | 255185 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 釋放 離子 抗菌 陶瓷磚 及其 制備 方法 | ||
1.一種釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚，包括坯體和釉層，其特征在于：
坯體原料成分如下，以重量份數(shù)計：
釉層由如下重量百分比的原料制成：
以上原料總質(zhì)量為100％計，還包括釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷釉料添加劑2-8％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚，其特征在于所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷釉料添加劑由如下重量百分比的原料制成：
獨居石 70-80％
托瑪琳 20-30％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚，其特征在于所述的熔塊的組成如下，以重量百分比計：R2O4.1％，CaO4.1％，BaO1.5％，ZnO6.2％，PbO0.50％，AL2O3 8.5％，B2O3 2.7％，SiO2 67.4％，ZrO2 0.8％，其中R2O為Na2O和K2O之和。
4.一種權(quán)利要求1-3任一所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟如下：
(1)坯體制備：將坯體原料經(jīng)球磨制成漿料，并攪拌均勻待用；將待用的漿料經(jīng)噴霧干燥工序后加工成粉料，粉料經(jīng)壓力機壓制成型，烘干后制成坯體；
(2)釉料制備及施釉：將釉層原料研磨制成釉漿，在烘干后的坯體表面上施釉；
(3)產(chǎn)品燒成：將表面施釉后的坯體放入輥道窯中進(jìn)行燒制，出窯后制成成品。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟(1)中所述的漿料的細(xì)度為250目篩余量為1.0-1.5％。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟(1)中所述的粉料的含水量為7.5-8.5wt％。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟(2)中所述的研磨時間為15-25小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述的燒制溫度為1100-1200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的釋放負(fù)氧離子的抗菌陶瓷磚的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述的燒制周期為50-90分鐘。
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