[發明專利]與非門閃存的讀取方法

有效

• 申請號: 201710127830.4
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN108538332B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 蘇俊聯;洪俊雄;洪碩男
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

本發明為一種與非門閃存的讀取方法，包括：準備要被讀出的一次頁數據；其中，當該次頁的地址接續于一特定頁時，自動地準備該次頁數據，或者當該次頁的地址未接續于該特定頁時，根據一頁讀取指令以及一次頁地址來準備該次頁數據。

技術領域

本發明涉及一種存儲器的讀取方法，且特別涉及一種與非門閃存的讀取方法。

背景技術

眾所周知，閃存的種類可區分為或非門閃存(NOR Flash)和與非門閃存(NANDFlash)。

或非門閃存的讀取效率很高，小容量的或非門閃存具有很高的成本效益。因此，市面上小容量(例如1～16MB)的閃存大多是或非門閃存，其主要應用于儲存程序代碼(program code)的用途，例如固件(firmware)。

與非門閃存的單位密度很高，價格低廉制程開發進展快，可達到很高的儲存密度以及儲存容量。但是，與非門閃存的讀取速度慢。因此，市面上大容量的閃存大多是與非門閃存，其主要應用于儲存數據(data)的用途。

請參照圖1，其所繪示為串行外設接口(Serial Peripheral Interface，簡稱SPI)的或非門閃存在讀取操作時的信號示意圖。串行外設接口(SPI)的或非門閃存經由四條信號線連接至控制器(未繪示)。四條信號線包括：片選信號(chip CS#)、頻率信號SCLK、數據輸入信號SI、數據輸出信號SO。而控制器即可利用四條信號線來控制或非門閃存記行讀取操作(read operation)、編程操作(program operation)、或者擦除操作(eraseoperation)。以下僅介紹讀取操作。

如圖1所示，當片選信號CS#為低電平時，或非門閃存根據頻率信號 SCLK運作。在時間點t1至時間點t2，數據輸入信號SI為讀取指令(Read CMD)；而時間點t2至時間點t3，數據輸入信號SI為地址信號(Address)。因此，在時間點t3之后，或非門閃存的數據輸出信號SO上，即為該地址所對應的讀取數據(Read Data)。

另外，或非門閃存根據一個讀取指令，即可輸出該地址所對應的讀取數據。接著，或非門閃存還會自動地且不間斷地輸出該地址之后的所有數據。

由于或非門閃存與與非門閃存的架構不同，與非門閃存的讀取操作也不同于或非門閃存。

請參照圖2，其所繪示為串行外設接口(SPI)與非門閃存于讀取數據時的讀取操作示意圖。同理，SPI與非門閃存的接口包括相同的四條信號線連接至控制器。而控制器可利用四條信號線來控制或非門閃存記行讀取操作、編程操作、或者擦除操作。以下僅介紹讀取操作。

如圖2所示，當片選信號CS#為低電平時，與非門閃存根據頻率信號 SCLK運作。再者，與非門閃存的讀取操作中，至少包括兩個指令：頁讀取指令(Page Read CMD)與數據讀取指令(Data Read CMD)，此兩個指令之間至少需間隔幾十微秒(micro second)，例如25μs。另外，在此兩個指令之間也可以選擇性地發出詢問指令(Get Feature CMD)，用以詢問頁讀取指令 (Page Read CMD)是否執行完成。

如圖2所示，時間點t1至時間點t2，數據輸入信號SI為頁讀取指令 (Page ReadCMD)；而時間點t2至時間點t3，數據輸入信號SI為頁地址信號(Page Address)。因此，與非門閃存將對應頁地址的數據讀出(read out)，并儲存于與非門閃存內部的頁緩沖器(pagebuffer)。

時間點t4至時間點t5，數據輸入信號SI為詢問指令(Get Feature CMD)；而時間點t5至時間點t6，數據輸入信號SI為狀態緩存器地址(Status Register Address)。當然，控制器也可以不發出詢問指令(Get Feature CMD)，而直接等待25μs之后，再發出數據讀取指令(Data Read CMD)。