[發(fā)明專利]離子注入裝置及測量裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710127662.9 | 申請日: | 2017-03-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107204272B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石橋和久 | 申請(專利權(quán))人: | 住友重機(jī)械離子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/317 | 分類號(hào): | H01J37/317;H01J37/244;G01B7/30 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子 注入 裝置 測量 | ||
本發(fā)明提供一種用于準(zhǔn)確地測量離子束的角度重心的技術(shù)。角度測量裝置(48)具備:狹縫(62),供離子束入射,并且狹縫寬度方向是與朝向晶片的離子束的射束行進(jìn)方向正交的方向;及多個(gè)電極體(64a~64g),設(shè)置在射束行進(jìn)方向上遠(yuǎn)離狹縫(62)的位置,并且各自具有射束測量面(65a~65g),所述射束測量面為相對于通過狹縫(62)后的離子束暴露的區(qū)域。多個(gè)電極體(64a~64g)配置成各電極體的射束測量面在狹縫寬度方向上依次排列,并且在狹縫寬度方向上相鄰的射束測量面在射束行進(jìn)方向上錯(cuò)開。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請主張基于2016年3月18日申請的日本專利申請第2016-055822號(hào)的優(yōu)先權(quán)。該日本申請的全部內(nèi)容通過參考援用于本說明書中。
本發(fā)明涉及一種離子注入裝置,尤其涉及測量離子束的角度分布的技術(shù)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體制造工序中,以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性及改變半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)為目的等,規(guī)范地實(shí)施對半導(dǎo)體晶片注入離子的工序(以下,也稱為“離子注入工序”)。離子注入工序中所使用的裝置被稱為離子注入裝置,其具有由離子源生成離子并對所生成的離子進(jìn)行加速而形成離子束的功能以及將該離子束傳送至注入處理室并對處理室內(nèi)的晶片照射離子束的功能。為了測量照射于晶片的離子束的行進(jìn)角,使用沿與射束行進(jìn)方向正交的方向排列的多個(gè)射束檢測器(例如,參考專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-146863號(hào)公報(bào)
入射于晶片的離子束角度特性可例舉作為射束整體的平均值的入射角度(角度重心)。通常,為了提高射束的角度重心的測量精度,需要在欲測量射束的角度分量的方向上排列多個(gè)射束檢測器,并且縮小射束檢測器的配置間隔而增加設(shè)置數(shù)量。然而,若增加射束檢測器的設(shè)置數(shù)量而縮小一個(gè)射束檢測器的檢測范圍,則直至獲取可靠性高的測量數(shù)據(jù)需要花費(fèi)不少時(shí)間,并且檢測裝置的成本增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種狀況而完成的,其目的在于提供一種用于準(zhǔn)確地測量離子束的角度重心的技術(shù)。
為了解決上述課題,本發(fā)明的一種方式的離子注入裝置為具備用于測量照射于晶片的離子束的角度分布的測量裝置的離子注入裝置。該測量裝置具備:狹縫,供離子束入射,并且狹縫寬度方向是與朝向晶片的離子束的射束行進(jìn)方向正交的方向;及多個(gè)電極體,設(shè)置在射束行進(jìn)方向上遠(yuǎn)離狹縫的位置,并且各自具有射束測量面,所述射束測量面為相對于通過狹縫后的離子束暴露的區(qū)域。多個(gè)電極體配置成各電極體的射束測量面在狹縫寬度方向上依次排列,并且在狹縫寬度方向上相鄰的射束測量面在射束行進(jìn)方向上錯(cuò)開。
本發(fā)明的另一方式是用于測量離子束的角度分布的測量裝置。該測量裝置具備:狹縫,供離子束入射,及多個(gè)電極體,設(shè)置在射束行進(jìn)方向上遠(yuǎn)離狹縫的位置,并且各自具有射束測量面,所述射束測量面為相對于通過狹縫后的離子束暴露的區(qū)域。多個(gè)電極體配置成各電極體的射束測量面在狹縫寬度方向上依次排列,在狹縫寬度方向上相鄰的射束測量面在射束行進(jìn)方向上錯(cuò)開。
本發(fā)明的又一方式也是用于測量離子束的角度分布的測量裝置。該測量裝置具備:狹縫,供離子束入射,及多個(gè)電極體,設(shè)置在射束行進(jìn)方向上遠(yuǎn)離狹縫的位置,并且各自具有射束測量面,所述射束測量面為相對于通過狹縫后的離子束暴露的區(qū)域。多個(gè)電極體配置成各電極體的射束測量面在狹縫寬度方向上無間隙地排列,并且各電極體的射束測量面在射束行進(jìn)方向成為相同的位置,各電極體的射束測量面的狹縫寬度方向的長度與狹縫的狹縫寬度相同或者是狹縫寬度的1/n(n為2以上的整數(shù))。
另外,在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互替換以上構(gòu)成要件的任意組合或本發(fā)明的構(gòu)成要件和表現(xiàn)的方式,也作為本發(fā)明的方式同樣有效。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠準(zhǔn)確地測量離子束的角度重心。
附圖說明
圖1是示意地表示實(shí)施方式所涉及的離子注入裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
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