[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710127535.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN106601757A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李嘉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,黃進(jìn)

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括陣列設(shè)置于玻璃基板上的薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管電性連接有一像素電極，其特征在于，所述薄膜晶體管包括有源層，所述像素電極與所述有源層位于同一結(jié)構(gòu)層中，所述有源層由第一部分半導(dǎo)體材料形成，所述像素電極由與所述第一部分半導(dǎo)體材料相互一體連接的第二部分半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體后形成，所述半導(dǎo)體材料為金屬氧化物半導(dǎo)體材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料為IGZO或IGZTO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述有源層的厚度為。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，通過UV光照工藝或離子注入工藝將所述第二部分半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體后形成所述像素電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極形成于所述玻璃基板上，所述柵電極上覆設(shè)有柵極絕緣層，所述有源層和所述像素電極形成于所述柵極絕緣層上，所述有源層相對(duì)位于所述柵電極的正上方，所述源電極和漏電極相互間隔地形成于所述有源層上，所述漏電極還電性連接到所述像素電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源電極和漏電極的材料為Au、Cu、Ni或Ag。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括覆設(shè)于所述薄膜晶體管上的鈍化層。

8.一種如權(quán)利要求1-7任一所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上沉積形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜；

通過一次光罩工藝，將所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜劃分形成相互一體連接的第一部分半導(dǎo)體材料和第二部分半導(dǎo)體材料；

將所述第一部分半導(dǎo)體材料設(shè)定為有源層，將所述第二部分半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體后形成像素電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法具體包括步驟：

S1、提供一玻璃基板，在該玻璃基板上沉積形成柵電極薄膜層；

S2、通過第一道光罩工藝將所述柵電極薄膜層制備形成圖案化的柵電極；

S3、在如上結(jié)構(gòu)的玻璃基板上依次沉積形成柵極絕緣層、金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜以及源/漏電極薄膜層；

S4、通過第二道光罩工藝，刻蝕所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜和源/漏電極薄膜層，保留有源層和像素電極所對(duì)應(yīng)位置的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜和源/漏電極薄膜層；

S5、通過第三道光罩工藝將所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜和源/漏電極薄膜層制備形成有源層、像素電極以及源電極和漏電極；該步驟具體包括：

S51、在所述源/漏電極薄膜層上形成光刻膠層；

S52、應(yīng)用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留的第一區(qū)域、光刻膠部分保留的第二區(qū)域和光刻膠未保留的第三區(qū)域；

S53、刻蝕掉所述第三區(qū)域的源/漏電極薄膜層，暴露出部分金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)形成第一部分半導(dǎo)體材料，在所述第三區(qū)域?qū)?yīng)形成第二部分半導(dǎo)體材料；

S54、將所述第一部分半導(dǎo)體材料設(shè)定為有源層，將所述第二部分半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體后形成像素電極；

S55、通過灰化工藝去除所述第二區(qū)域的光刻膠；

S56、刻蝕掉所述第二區(qū)域的源/漏電極薄膜層，在所述第一區(qū)域形成相互間隔的源電極和漏電極；

S57、剝離去除所述第一區(qū)域的光刻膠。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一所述的薄膜晶體管陣列基板。