[發明專利]具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板在審
| 申請號: | 201710127195.X | 申請日: | 2017-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN107424974A | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 胡迪群 | 申請(專利權)人: | 胡迪群 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/552 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司44102 | 代理人: | 隆翔鷹 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 埋入 噪聲 屏蔽 封裝 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝基板(package substrate),特別是涉及一種具有埋入式噪聲屏蔽墻(noise shielding wall)的封裝基板,其中,至少一條信號線夾在兩屏蔽墻之間。
背景技術
如圖1所示,美國專利US7,638,881B2于2009年12月29日公開的芯片封裝100,包括芯片110、封裝基板120、多個焊錫凸塊130和界面金屬層140。該芯片110具有多個設置于芯片110的表面114上的芯片焊墊112。封裝基板120具有多個第一基板焊墊122、多個第二基板焊墊124以及表面接合層(其材料為Sn)126。在第一基板焊墊122和第二基板焊墊124設置于封裝基板120的表面128上。表面接合層126(Sn)設置于第一基板焊墊122和第二基板焊墊124表面、且表面接合層126完全覆蓋第一基板焊墊122和第二基板焊墊124表面。焊錫凸塊130設置于芯片焊墊112和表面接合層126之間。界面金屬層140設置于焊錫凸塊130和表面接合層126之間。芯片110透過焊錫凸塊130電性連接于封裝基板120。
在今日,隨著半導體封裝技術的快速發展,封裝基板的信號線的分布密度越來越高,緊密分布的信號線之間的串音干擾(crosstalk)變成嚴重的問題。
現有技術的缺點是,封裝基板的信號線沒有噪聲屏蔽墻的設置,本發明就是為了解決封裝基板的信號線的串音干擾(crosstalk)的問題。
發明內容
針對現有技術的上述不足,根據本發明的實施例,希望提供一種具有噪聲屏蔽功能,能有效解決信號線的串音干擾(crosstalk)問題的封裝基板(package substrate)。
根據實施例,本發明提供的一種具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板,包括第一信號線、左邊屏蔽墻和右邊屏蔽墻,第一信號線埋設于第一介電層中;左邊屏蔽墻埋設于所述第一介電層中,并且配置在所述第一信號線的左邊;右邊屏蔽墻埋設于所述第一介電層中,并且配置在所述第一信號線的右邊。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,所述左邊屏蔽墻具有的底表面,不高于所述第一信號線的底表面;所述右邊屏蔽墻具有的底表面,不高于所述第一信號線的底表面。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括重新分布層和芯片,重新分布層配置在所述第一介電層的底側;芯片配置在所述封裝基板的頂面,所述芯片經由所述多個縱向金屬接線,電性耦合到所述重新分布層的電路。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括底側屏蔽墻,底側屏蔽墻配置在所述左邊屏蔽墻和所述右邊屏蔽墻的底側上。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括第二信號線,第二信號線埋設于所述第一介電層中,與所述第一信號線相鄰并排配置;所述左邊屏蔽墻配置在所述第一信號線的左邊;右邊屏蔽墻配置在第二信號線的右邊。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括中間屏蔽墻,中間屏蔽墻配置在所述第一信號線和所述第二信號線之間。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,所述左邊屏蔽墻具有延伸區域向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面;右邊屏蔽墻具有延伸區域向上延伸,越過第一信號線的頂表面。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括頂側屏蔽墻,頂側屏蔽墻配置在所述左邊屏蔽墻和所述右邊屏蔽墻的頂表面。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括第二介電層,所述左邊屏蔽墻具有延伸區域向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面,埋設于所述第二介電層中;所述右邊屏蔽墻具有延伸區域向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面,埋設于所述第二介電層中。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括頂側屏蔽墻,頂側屏蔽墻配置在所述左邊屏蔽墻和所述右邊屏蔽墻的頂表面;所述頂側屏蔽墻埋設于所述第二介電層中,且具有表面與所述第二介電層頂表面為共平面。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,所述左邊屏蔽墻向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面;所述中間屏蔽墻向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面;右邊屏蔽墻向上延伸,越過所述第一信號線的頂表面。
根據一個實施例,本發明前述具有埋入式噪聲屏蔽墻的封裝基板中,還包括頂側屏蔽墻,頂側屏蔽墻配置在所述左邊屏蔽墻、中間屏蔽墻以及右邊屏蔽墻的頂側。
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