[發明專利]一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法

有效

• 申請號: 201710127031.7
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN108538720B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 彭奎慶;付昊鑫;王江
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，其特征在于：所述方法按照步驟1、2和3單獨進行

(1)將表面清潔的晶體硅片放入氯化銅、鹽酸和氫氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反應10-100分鐘，然后將腐蝕后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面殘存的金屬；

(2)將表面清潔的晶體硅片放入硫酸銅、鹽酸和氫氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反應10-100分鐘，然后將腐蝕后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面殘存的金屬；

(3)將表面清潔的晶體硅片放入硝酸銅、鹽酸和氫氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反應10-100分鐘，然后將腐蝕后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面殘存的金屬。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，所述步驟(1)、(2)和(3)中的晶體硅片是單晶和多晶硅片。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，所述步驟(1)中的氯化銅濃度為0.01-0.2mol/L，鹽酸濃度為0.5-3.0mol/L，氫氟酸濃度為0.5-10.0mol/L。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，所述步驟(2)中的硫酸銅濃度為0.01-0.2mol/L，鹽酸濃度為0.5-3.0mol/L，氫氟酸濃度為0.5-10.0mol/L。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，所述步驟(3)中的硝酸銅濃度為0.01-0.2mol/L，鹽酸濃度為0.5-3.0mol/L，氫氟酸濃度為0.5-10.0mol/L。

6.根據權利要求1所述的一種晶體硅各向異性濕法腐蝕方法，所述步驟(1)、(2)和(3)腐蝕制備的微納米金字塔陣列可用于硅太陽能電池。