[發(fā)明專利]低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710126852.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN106876450B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡欣;黃昕;張帥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 濟(jì)南安海半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/417
• 分類號(hào): H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 上海大視知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31314
• 代理人: 蔡沅

1.一種低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：

襯底，作為漏極；

P-體區(qū)，形成于所述的襯底頂部的一部分；

N+注入?yún)^(qū)，作為源極，形成于所述的P-體區(qū)頂部的一部分；

多晶硅，作為柵極，形成于所述的襯底頂部的另一部分與所述的P-體區(qū)頂部的另一部分之上；

其特征在于，還包括：

厚柵氧區(qū)，形成于所述的多晶硅與所述的襯底之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述的厚柵氧區(qū)為熱氧化層或淺槽隔離層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，還包括：

P+注入?yún)^(qū)，作為體區(qū)引出端，形成于所述的P-體區(qū)頂部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述的多晶硅覆蓋于所述的P-體區(qū)頂部未設(shè)置N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)的部分以及所述的厚柵氧區(qū)的頂部。

5.一種低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(A)在作為漏極的襯底的頂部的一部分形成有源區(qū)和厚柵氧區(qū)；

(B)在所述厚柵氧區(qū)頂部及所述襯底頂部的一部分之上形成多晶硅作為柵極；

(C)在襯底頂部未被多晶硅覆蓋的部分形成P-體區(qū)；

(D)在所述的P-體區(qū)頂部的一部分形成N+注入?yún)^(qū)，作為源極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(A)具體為：

在所述襯底的頂部表面利用氮化硅作為掩膜層形成作為厚柵氧區(qū)的熱氧化層或淺槽隔離層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(B)具體為：

在所述厚柵氧區(qū)頂部以及所述襯底頂部?jī)烧弑舜讼噜彽奈恢玫闹闲纬傻亩嗑Ч瑁鳛闁艠O。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(C)具體包括以下步驟：

(C1)利用自對(duì)準(zhǔn)工藝，以所述的多晶硅作為參考形成溝道；

(C2)在襯底頂部未被多晶硅覆蓋的部分進(jìn)行注入，形成P-體區(qū)；

(C3)根據(jù)需要進(jìn)行熱過程退火，使所述的P-體區(qū)形成特定的結(jié)深。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(D)具體為：

在所述的P-體區(qū)頂部的一部分形成N+注入?yún)^(qū)，作為源極；在該P(yáng)-體區(qū)頂部的另一部分形成P+注入?yún)^(qū)。