[發明專利]具有臺階狀結構和真空腔體的微熱板及其加工方法

有效

• 申請號: 201710126277.2
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN106744640B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 鄧敏;李曉波;劉瑞
• 申請（專利權）人: 蘇州甫一電子科技有限公司
• 主分類號: B81B1/00
• 分類號: B81B1/00;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種具有臺階狀結構和低真空腔體的微熱板，其特征在于包括：

第一基片，其具有第一表面和與第一表面相背對的第二表面，所述第一表面上依次設置有第一隔熱層、絕緣層、臺階狀結構層、加熱層和鈍化層，所述加熱層與電極電連接；

第二基片，其具有第三表面，所述第三表面上設置有第二隔熱層，至少是所述第一基片的第二表面與所述第二基片的第三表面密封結合而使所述第一基片與第二基片之間形成至少一真空腔體，所述真空腔體的壁上覆蓋有絕熱物質；以及

絕熱槽，其環繞所述真空腔體設置，并且所述絕熱槽內填充有絕熱物質；

其中，所述真空腔體的壁體由所述第一隔熱層、第二隔熱層以及填充于所述絕熱槽內的絕熱物質構成，所述臺階狀結構層、加熱層和鈍化層均具有臺階狀類彈簧結構。

2.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述真空腔體的真空度為10^-3Pa～100Pa。

3.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述真空腔體的深度為10μm～300μm。

4.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：第一基片或第二基片為硅襯底。

5.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述第一隔熱層或第二隔熱層為多孔硅隔熱層。

6.根據權利要求5所述的微熱板，其特征在于：所述多孔硅隔熱層的厚度為5μm～200μm，孔隙率為50％～90％。

7.根據權利要求6所述的微熱板，其特征在于：所述多孔硅隔熱層的厚度為10μm～100μm。

8.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述電極穿過形成于所述鈍化層上的開口并與所述加熱層電性接觸。

9.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述臺階狀結構層的臺階形狀包括圓環形或倒梯形。

10.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述絕熱槽的深度為10μm～300μm。

11.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述絕熱物質包括多孔硅或者低熱導聚合物。

12.根據權利要求11所述的微熱板，其特征在于：所述低熱導聚合物包括聚酰亞胺或聚二甲基硅氧烷。

13.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述加熱層的厚度為100nm～500nm。

14.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述加熱層的材質包括TaAlN、多晶硅、W、TIN中的任意一種或兩種以上的組合。

15.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述鈍化層的厚度為100nm～2μm。

16.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于：所述鈍化層的材質包括SiN、SiO₂或聚酰亞胺中的任一種或兩種以上的組合。

17.根據權利要求1所述的微熱板，其特征在于，所述第一基片與第二基片之間通過真空鍵合方式結合，所述真空鍵合方式采用的真空鍵合的溫度為600℃～1000℃，真空度為10^-3Pa～100Pa。