[發明專利]高穩定性的LED支架、LED光源及方法在審
| 申請號: | 201710125337.9 | 申請日: | 2017-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN106898686A | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發明(設計)人: | 劉云;李俊東;張明武;李紹軍;陳健平;王鵬輝 | 申請(專利權)人: | 深圳市斯邁得半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L33/52;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市盈科律師事務所11344 | 代理人: | 趙成偉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 穩定性 led 支架 光源 方法 | ||
1.一種用于LED支架的基材(1),所述基材(1)包括金屬基體(7),其特征在于,
所述基材(1)包括:
布置在所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一個或多個涂層;和
在所述金屬基體(7)的與用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉積的一層或多層第二金屬層。
2.根據權利要求1所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一個或多個涂層包括一層或多層第一金屬層,以及一層或多層氧化物層。
3.根據權利要求2所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:
所述第一金屬層是鋁或鋁合金、鐵或鐵合金、或者銅或銅合金;并且所述氧化物層是通過真空濺射、離子鍍、電鍍或化學鍍沉積的氧化物涂層,所述氧化物選自三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦中的一種或多種。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鋁基體(7)直接相鄰的三氧化二鋁層、二氧化鈦層、純銀層、三氧化二鋁層,以及最外側的二氧化鈦層。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鋁基體(7)直接相鄰的三氧化二鋁層、二氧化鈦層、純銀層、二氧化鈦層、二氧化硅層,以及最外側的二氧化鈦層。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與銅基體(7)直接相鄰的純銀層、三氧化二鋁層,以及最外側的二氧化鈦層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與銅基體(7)直接相鄰的與銅基體(7)直接相鄰的純銀層、二氧化鈦層、二氧化硅層,以及最外側的二氧化鈦層。
7.根據權利要求1-3中任一項所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:鎳層、銀層、三氧化二鋁層,以及最外側的二氧化鈦層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與銅基體(7)直接相鄰的鎳層、銀層、二氧化鈦層、二氧化硅層,以及最外側的二氧化鈦層。
8.根據權利要求1-3中任一項所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、純銀層、三氧化二鋁層,以及最外側的二氧化鈦層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、純銀層、二氧化鈦層、二氧化硅層,以及最外側的二氧化鈦層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、純銀層以及最外側的三氧化二鋁層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、純銀層以及最外側的二氧化硅層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、銀層、三氧化二鋁層,以及最外側的二氧化鈦層;或者
所述一個或多個涂層從所述金屬基體(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置為:與鐵基體(7)直接相鄰的銅層、銀層、二氧化鈦層、二氧化硅層,以及最外側的二氧化鈦層。
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