[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光元件及三氮唑衍生物的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710124961.7 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN108530431B | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳凡 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | C07D405/10 | 分類號: | C07D405/10;C07D249/06;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務(wù)所 31282 | 代理人: | 鐘宗;王寧 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 元件 三氮唑 衍生物 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,包括:
相對設(shè)置的陽極層和陰極層;
位于所述陽極層和所述陰極層之間的有機(jī)功能層,所述有機(jī)功能層的其中一層為發(fā)光層,所述有機(jī)功能層還包括電子傳輸層和/或空穴阻擋層,所述電子傳輸層和/或空穴阻擋層含有1,2,3-三氮唑衍生物,所述1,2,3-三氮唑衍生物具有如式(13)表示的結(jié)構(gòu),
其中,Ar1選自碳原子數(shù)為6-36的亞芳基;
R1、R2各自獨(dú)立地選自H、氰基、氨基、-NR4R5、碳原子數(shù)為1-8的烷基、碳原子數(shù)為6-40的芳基或碳原子數(shù)為2-40的雜芳基,R4、R5各自獨(dú)立地選自碳原子數(shù)為6-18的芳基或碳原子數(shù)為2-18的雜芳基,所述雜芳基選自呋喃基、吡咯基、吡啶基、噻唑基、噁二唑基、吡嗪基、咔唑基、茚并咔唑基、咪唑基、吡唑基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、喹啉基、二苯并吡喃基或二苯并吡咯基;
m、n各自獨(dú)立地選自1、2或3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,Ar1選自亞苯基、亞萘基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞非那烯基、亞二苯并吡喃基或亞二苯并吡咯基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,R1、R2各自獨(dú)立地選自H、氰基、-NR4R5、異丙基、二苯并吡喃基或二苯并吡咯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,R4、R5各自獨(dú)立地選自未取代的苯基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,所述電子傳輸層位于所述陰極層和所述發(fā)光層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,所述空穴阻擋層位于所述陰極層和所述發(fā)光層之間。
7.一種如權(quán)利要求1所述的1,2,3-三氮唑衍生物的制備方法,其特征在于,所述1,2,3-三氮唑衍生物具有如式(13)表示的結(jié)構(gòu):
所述制備方法包括以下步驟,式(1-1)表示的化合物與式(1-2)表示的化合物反應(yīng),生成式(13)表示的1,2,3-三氮唑衍生物,
其中,Ar1選自碳原子數(shù)為6-36的亞芳基;
R1、R2、R3各自獨(dú)立地選自H、氰基、氨基、-NR4R5、碳原子數(shù)為1-8的烷基、碳原子數(shù)為6-40的芳基或碳原子數(shù)為2-40的雜芳基,R4、R5各自獨(dú)立地選自碳原子數(shù)為6-18的芳基或碳原子數(shù)為2-18的雜芳基,所述雜芳基選自呋喃基、吡咯基、吡啶基、噻唑基、噁二唑基、吡嗪基、咔唑基、茚并咔唑基、咪唑基、吡唑基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、喹啉基、二苯并吡喃基或二苯并吡咯基;
m、n、k各自獨(dú)立地選自1、2或3。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的1,2,3-三氮唑衍生物制備方法,其特征在于,式(1-1)表示的化合物與式(1-2)表示的化合物溶解在DMSO中,在DIPEA存在下,經(jīng)微波加熱反應(yīng)生成式(13)表示的1,2,3-三氮唑衍生物。
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