[發(fā)明專利]像素單元及其驅(qū)動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710124747.1
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN106950768B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張蒙蒙
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂

1.一種像素單元，其特征在于，包括：陣列排布的多個子像素(10)、多條平行間隔排列的水平的掃描線(20)、以及多條平行間隔排列的豎直的數(shù)據(jù)線(30)；

每一行子像素(10)對應(yīng)一條掃描線(20)，每一列子像素(10)對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線(30)，每一個子像素(10)均包括：主區(qū)薄膜晶體管(T1)、次區(qū)薄膜晶體管(T2)和電荷共享薄膜晶體管(T3)；

設(shè)n和m均為正整數(shù)，在第n行第m列子像素(10)中：所述主區(qū)薄膜晶體管(T1)的柵極電性連接第n條掃描線(G(n))，源極電性連接第m條數(shù)據(jù)線(Data(m))，漏極電性連接主區(qū)像素電極(100)；

所述次區(qū)薄膜晶體管(T2)的柵極電性連接第n條掃描線(G(n))，源極電性連接第m條數(shù)據(jù)線(Data(m))，漏極電性連接次區(qū)像素電極(200)；

所述電荷共享薄膜晶體管(T3)的柵極電性連接第n條掃描線(G(n))，源極電性連接第n+1條掃描線(G(n+1))，漏極電性連接次區(qū)像素電極(200)；

所述第n條掃描線(G(n))提供高電位(VGH)時，所述第n+1條掃描線(G(n+1))提供陣列基板公共電壓(Acom)，其余的掃描線(20)均提供低電位(VGL)；

所述陣列基板公共電壓(Acom)大于低電位(VGL)且小于高電位(VGH)。

2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述主區(qū)像素電極(100)和彩膜基板公共電極共同組成主區(qū)液晶電容(C1)；

所示次區(qū)像素電極(100)和彩膜基板公共電極共同組成次區(qū)液晶電容(C2)。

3.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述主區(qū)像素電極(100)與次區(qū)像素電極(200)均為米字型結(jié)構(gòu)，材料均為ITO。

4.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述主區(qū)薄膜晶體管(T1)的柵極、次區(qū)薄膜晶體管(T2)的柵極、電荷共享薄膜晶體管(T3)的柵極、以及掃描線(20)位于第一金屬層，所述主區(qū)薄膜晶體管(T1)的源極和漏極、次區(qū)薄膜晶體管(T2)的源極和漏極、電荷共享薄膜晶體管(T3)的源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線(30)位于與所述第一金屬層絕緣層疊的第二金屬層。

5.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元在驅(qū)動時的掃描方向為從第一行子像素(10)向最后一行子像素(10)進行掃描。