[發明專利]IC封裝工藝廢水處理方法在審
| 申請號： | 201710124383.7 | 申請日： | 2017-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN106865819A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 胡杰;劉黎;巨正富 | 申請（專利權）人： | 四川新能水處理工程有限公司 |
| 主分類號： | C02F9/04 | 分類號： | C02F9/04;C02F101/20;C02F101/10 |
| 代理公司： | 成都頂峰專利事務所(普通合伙)51224 | 代理人： | 趙正寅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市武*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ic 封裝 工藝 廢水處理 方法 | ||
1.一種IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，包括步驟：
A、將IC封裝工藝廢水中的含銅廢水和含硅廢水分別處理：
(1)IC封裝工藝廢水中的含銅廢水處理：將含銅廢水與強堿反應、固液分離后得到第一預處理廢水；
(2)IC封裝工藝廢水中的含硅廢水處理：
a.調節含硅廢水的PH值為堿性，得到堿性含硅廢水；
b.向所述堿性含硅廢水中先后加入絮凝劑溶液和助凝劑溶液，得到絮凝含硅廢水；
c.將所述絮凝含硅廢水用顆粒過濾器加壓過濾后，再用第一袋式過濾器過濾即得第二預處理廢水；
B、混合處理廢水：將第一預處理廢水和第二預處理廢水混合后用第二袋式過濾器過濾，得到混合處理廢水；
C、超濾殺菌：將混合處理廢水采用超濾過濾、殺菌后，得到生活用水和濃水。
2.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟(1)中每1立方米含銅廢水中加入強堿的量為80～110g。
3.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟a中所述的pH值為7.5-8.5。
4.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟b中所述絮凝劑溶液中絮凝劑的含量為8％～12％，所述助凝劑溶液中的助凝劑的含量為0.1～0.5％。
5.根據權利要求4所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟b中每1立方米堿性含硅廢水中加入的絮凝劑溶液為40～50g，每1立方米堿性含硅廢水中加入的助凝劑溶液為1.5～2.86g。
6.根據權利要求1或4或5所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟b中所述絮凝劑溶液為聚氯化鋁溶液，所述助凝劑溶液為聚丙烯酰胺溶液。
7.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟(1)的固液分離為離心分離或過濾。
8.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述步驟b中加入絮凝劑溶液5min～8min后再加入助凝劑溶液。
9.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，所述第一袋式過濾器的過濾精度為5～10μm，所述第二袋式過濾器的過濾精度為1-5μm。
10.根據權利要求1所述的IC封裝工藝廢水處理方法，其特征在于，還包括步驟D、濃水回用：將所述濃水與步驟B中的混合處理廢水混合后進行超濾過濾、殺菌。
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