[發明專利]用于鈣鈦礦晶體的結晶生長板、結晶釜及結晶裝置

在審

• 申請號: 201710124374.8
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN106811794A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 范利生;田清勇;瞿光胤;陳加坡;范斌
• 申請（專利權）人: 蘇州協鑫納米科技有限公司;蘇州協鑫能源技術發展有限公司
• 主分類號: C30B7/10
• 分類號: C30B7/10;C30B29/32
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種用于鈣鈦礦晶體的結晶生長板，其特征在于，包括：

本體，包括用于晶體生長的第一面以及與所述第一面相對的第二面；

高表面能結構，設于所述本體的第一面；

以及低表面能結構，設于所述本體的第二面。

2.根據權利要求1所述的結晶生長板，其特征在于，所述高表面能結構為附于所述本體上的親水材料層。

3.根據權利要求2所述的結晶生長板，其特征在于，所述親水材料層中的親水材料選自聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、和聚丙烯酸中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的結晶生長板，其特征在于，所述低表面能結構為附于所述本體上的疏水材料層。

5.根據權利要求4所述的結晶生長板，其特征在于，所述疏水材料層中的疏水材料選自聚丙烯、聚偏氟二烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、和氟代聚硅氧烷中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的結晶生長板，其特征在于，所述本體呈網篩狀。

7.根據權利要求6所述的結晶生長板，其特征在于，所述本體的孔徑為50～100目。

8.根據權利要求1所述的結晶生長板，其特征在于，所述本體的材質為不銹鋼、鋁合金、或鋼化玻璃。

9.一種鈣鈦礦晶體結晶釜，其特征在于，包括：

釜體；

加熱機構，至少位于所述釜體的底部；

以及結晶生長板，設置于所述釜體內；

所述結晶生長板為權利要求1-8任一項所述的結晶生長板。

10.根據權利要求9所述的鈣鈦礦晶體結晶釜，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體結晶釜還包括用于升降所述結晶生長板的升降機構。

11.根據權利要求9所述的鈣鈦礦晶體結晶釜，其特征在于，所述加熱機構為電加熱機構或循環油浴加熱機構。

12.一種鈣鈦礦晶體的結晶裝置，其特征在于，包括權利要求9-11任一項所述的鈣鈦礦晶體結晶釜。

13.根據權利要求12所述的鈣鈦礦晶體的結晶裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體的結晶裝置還包括溶劑冷凝回收單元，所述溶劑冷凝回收單元設置于所述鈣鈦礦晶體結晶釜的上方。

14.根據權利要求12所述的鈣鈦礦晶體的結晶裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體的結晶裝置還包括用于對補液預加熱的預加熱單元，所述預加熱單元設置于所述鈣鈦礦晶體結晶釜的側面。