[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710124200.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783939B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙德江;陳一民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層設(shè)置有包括底壁和側(cè)壁的開(kāi)口區(qū)域，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置有多個(gè)表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱，所述親水誘導(dǎo)柱緊挨底壁與側(cè)壁的邊界。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，多個(gè)所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對(duì)任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對(duì)稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對(duì)稱基于所述底壁的對(duì)稱軸。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的每個(gè)轉(zhuǎn)角處設(shè)置有所述親水誘導(dǎo)柱。

4.如權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述親水誘導(dǎo)柱與所述開(kāi)口區(qū)域的高度相同。

5.如權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述親水誘導(dǎo)柱的親水性大于所述底壁的親水性。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置有多個(gè)表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，多個(gè)所述疏水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對(duì)任一設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱的第四位置，與所述第四位置對(duì)稱的第五位置和第六位置設(shè)置有疏水誘導(dǎo)柱，所述對(duì)稱基于所述像素界定層的上表面與所述側(cè)壁的交界所圍成的區(qū)域的對(duì)稱軸。

8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素界面層上表面靠近所述側(cè)壁的轉(zhuǎn)角處設(shè)置有所述疏水誘導(dǎo)柱。

9.如權(quán)利要求6至8任一所述的陣列基板，其特征在于，所述疏水誘導(dǎo)柱的高度大于所述像素界定層的厚度。

10.如權(quán)利要求6至8任一所述的陣列基板，其特征在于，所述疏水誘導(dǎo)柱的高度相同。

11.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上設(shè)置像素界定層；

在所述像素界定層設(shè)置包括底壁和側(cè)壁的開(kāi)口區(qū)域；

在所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的邊緣設(shè)置多個(gè)表面為親水性的親水誘導(dǎo)柱，所述親水誘導(dǎo)柱緊挨底壁與側(cè)壁的邊界。

12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，多個(gè)所述親水誘導(dǎo)柱的位置滿足如下關(guān)系：

對(duì)任一設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱的第一位置，與所述第一位置對(duì)稱的第二位置和第三位置設(shè)置有親水誘導(dǎo)柱，所述對(duì)稱基于所述底壁的對(duì)稱軸。

13.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，所述底壁的每個(gè)轉(zhuǎn)角處設(shè)置所述親水誘導(dǎo)柱。

14.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述像素界定層上表面上靠近所述側(cè)壁處設(shè)置多個(gè)表面為疏水性的疏水誘導(dǎo)柱。

15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，在所述像素界面層上表面靠近所述側(cè)壁的轉(zhuǎn)角處設(shè)置所述疏水誘導(dǎo)柱。