[發明專利]針對多狀態以逐步方式調諧阻抗匹配網絡的系統和方法

有效

• 申請號: 201710124191.6
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN107294510B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 亞瑟·M·霍瓦爾德;約翰·C·小瓦爾考;安德魯·方;大衛·霍普金
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H03H11/28
• 分類號: H03H11/28;G06F30/373
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種用于以逐步方式調諧阻抗匹配網絡的方法，其包括：

在射頻(RF)產生器的第一狀態期間，當所述RF產生器在第一RF值下操作并且所述阻抗匹配網絡具有第一可變電容時，接收在所述RF產生器的輸出端與所述阻抗匹配網絡的輸入端之間感測到的第一測得的輸入參數值；

針對所述第一狀態，將一個或多個模型初始化為具有所述第一可變電容和所述第一RF值，其中所述一個或多個模型包括所述阻抗匹配網絡的模型；

在所述一個或多個模型被初始化為具有所述第一可變電容和所述第一RF值后，根據所述第一測得的輸入參數值使用所述一個或多個模型，針對所述第一狀態，來計算第一輸出參數值；

使用所述第一輸出參數值和所述一個或多個模型來計算用于所述第一狀態的最優可變電容，所述最優可變電容使得在所述一個或多個模型的輸入端處的用于第一狀態的反射系數和用于第二狀態的反射系數的組合是最小的；

使用所述第一輸出參數值和所述一個或多個模型計算第一有利的RF值，所述第一有利的RF值使得在所述一個或多個模型的所述輸入端處的用于所述第一狀態的所述反射系數是最小的；

在所述第一狀態期間控制所述RF產生器以在所述第一有利的RF值下操作并且在所述第一狀態期間產生比在所述第二狀態期間產生的功率電平高的功率電平；以及

在所述第一狀態期間將所述阻抗匹配網絡設置成具有第一步進可變電容，其中所述第一步進可變電容與所述第一可變電容相比更接近所述最優可變電容，使得所述阻抗匹配網絡針對所述第一狀態以逐步方式被調諧。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括：

在所述RF產生器的所述第二狀態期間，當所述RF產生器在第二RF值下操作并且所述阻抗匹配網絡具有所述第一可變電容時，接收在所述RF產生器的所述輸出端與所述阻抗匹配網絡的所述輸入端之間感測到的第二測得的輸入參數值；

針對所述第二狀態，將所述阻抗匹配網絡的所述一個或多個模型初始化為具有所述第一可變電容和所述第二RF值；

當所述一個或多個模型具有所述第一可變電容和所述第二RF值時，根據所述第二測得的輸入參數值使用所述一個或多個模型，針對所述第二狀態，來計算第二輸出參數值；

使用所述第二輸出參數值和所述一個或多個模型來計算第二有利的RF值，所述第二有利的RF值使得在所述一個或多個模型的所述輸入端處的用于所述第二狀態的所述反射系數是最小的；

在所述第二狀態期間，控制所述RF產生器以在所述第二有利的RF值下操作；以及

在所述第二狀態期間將所述阻抗匹配網絡設置成具有所述第一步進可變電容。

3.根據權利要求2所述的方法，其還包括：

在所述RF產生器的所述第一狀態期間，當所述RF產生器在所述第一有利的RF值下操作并且所述阻抗匹配網絡具有所述第一步進可變電容時，接收在所述RF產生器的所述輸出端與所述阻抗匹配網絡的所述輸入端之間感測到的第三測得的輸入參數值；

針對所述第一狀態，將所述阻抗匹配網絡的所述一個或多個模型初始化為具有所述第一步進可變電容和所述第一有利的RF值；

在所述一個或多個模型具有所述第一步進可變電容和所述第一有利的RF值時，根據所述第三測得的輸入參數值使用所述一個或多個模型，針對所述第一狀態，來計算第三輸出參數值；

使用所述第三輸出參數值和所述一個或多個模型來計算用于所述第一狀態的另外的最優可變電容，所述另外的最優可變電容使得在所述一個或多個模型的所述輸入端處的用于所述第一狀態的所述反射系數和用于所述第二狀態的所述反射系數的所述組合是最小的；

使用所述第三輸出參數值和所述一個或多個模型計算第三有利的RF值，所述第三有利的RF值使得在所述一個或多個模型的所述輸入端處的用于所述第一狀態的所述反射系數是最小的；

在所述第一狀態期間控制所述RF產生器以在所述第三有利的RF值下操作；以及

在所述第一狀態期間將所述阻抗匹配網絡設置成具有第二步進可變電容，其中所述第二步進可變電容與所述第一可變電容相比更接近所述另外的最優可變電容，使得所述阻抗匹配網絡被針對所述第一狀態以所述逐步方式調諧。