[發明專利]一種以In2O3為靶材制備InN薄膜材料的方法有效
| 申請號： | 201710124149.4 | 申請日： | 2017-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN107012423B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 王雪文;張繁;吳朝科;翟春雪;張志勇;趙武;張遠 | 申請（專利權）人： | 西北大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安恒泰知識產權代理事務所 61216 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 710069 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 in2o3 制備 inn 薄膜 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種以In2O3為靶材制備InN薄膜材料的方法，包括以下步驟，
用丙酮、四氯化碳、無水乙醇和去離子水清洗硅片；
清洗后的硅片進行磁控濺射沉積InN薄膜；
其特征在于，
磁控濺射沉積時，腔室溫度為600℃，濺射壓強為0.6Pa或腔室溫度為500℃，濺射壓強為1.2～1.8Pa；
濺射氣體為Ar:N2＝20:20sccm；
磁控濺射功率為80～90W。
2.如權利要求1所述方法，其特征在于，所述硅片為Si(100)。
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