[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710124008.2 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN106876331B | 公開(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發明(設計)人: | 楊杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 44304 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 | 代理人: | 孫偉峰;黃進<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示面板,包括TFT陣列基板以及陣列設置在該TFT陣列基板上的多個陽極,其特征在于,所述TFT陣列基板上覆設有像素定義層,所述像素定義層包括暴露出所述陽極的開口部和用于間隔相鄰兩個所述陽極的間隔部,所述間隔部中設置有上部開口的凹槽,每一所述開口部對應于一個子像素區域;其中,
所述像素定義層上依次設置有第一公共層、第二公共層和陰極層,所述第一公共層和所述第二公共層之間對應于每一子像素區域分別設置有一發光材料單元;
所述第一公共層、第二公共層和陰極層在對應于所述凹槽的位置分別具有間隙,以使所述第一公共層、第二公共層和陰極層在相鄰的兩個子像素區域之間被隔斷,所述凹槽的截面為梯形,所述凹槽的上部開口的寬度小于底面的寬度。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹槽的上部開口的寬度為2μm以上。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹槽的深度大于所述第一公共層、第二公共層以及陰極層的總厚度。
4.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述像素定義層的材料為不導電的有機材料或無機材料。
5.根據權利要求1-4任一所述的OLED顯示面板,其特征在于,每一子像素區域分別對應于紅色子像素、綠色子像素或藍色子像素,所述紅色子像素中的發光材料單元為可發出紅色光的發光材料單元,所述綠色子像素中的發光材料單元為可發出綠色光的發光材料單元,所述藍色子像素中的發光材料單元為可發出藍色光的發光材料單元。
6.根據權利要求1-4任一所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一公共層包括按照遠離所述陽極的方向依次設置的空穴注入層和空穴傳輸層,所述第二公共層包括按照遠離所述陰極層的方向依次設置的電子注入層和電子傳輸層。
7.一種如權利要求1-6任一所述OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一TFT陣列基板并在該TFT陣列基板上制備陣列分布的多個陽極;
在所述TFT陣列基板上制備像素定義層薄膜;
應用刻蝕工藝,將所述像素定義層薄膜刻蝕形成具有開口部和間隔部以及在間隔部中形成凹槽的像素定義層;
在所述像素定義層上依次沉積第一公共層、發光材料單元、第二公共層以及陰極層;其中,在對應于所述凹槽的位置,所述第一公共層、第二公共層以及陰極層沉積在所述凹槽內,所述第一公共層、第二公共層和陰極層在對應于所述凹槽的位置分別形成間隙。
8.根據權利要求7所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,應用真空蒸鍍工藝在所述像素定義層上依次沉積第一公共層、發光材料單元、第二公共層以及陰極層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括驅動單元和如權利要求1-6任一所述OLED顯示面板,所述驅動單元向所述OLED顯示面板提供驅動信號以使所述OLED顯示面板顯示畫面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





