[發明專利]P型PERC雙面太陽能電池及其制備方法、組件和系統在審
| 申請號: | 201710123775.1 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN107046068A | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發明(設計)人: | 方結彬;何達能;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 胡楓 |
| 地址: | 528100 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | perc 雙面 太陽能電池 及其 制備 方法 組件 系統 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池領域,尤其涉及一種P型PERC雙面太陽能電池;本發明還涉及一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法、組件和系統。
背景技術
晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能,利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件,當太陽光照在半導體P-N結上,形成新的空穴-電子對,在P-N結電場的作用下,空穴由N區流向P區,電子由P區流向N區,接通電路后就形成電流。
傳統晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術,在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅膜,降低少子在前表面的復合速率,可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流,從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。
隨著對晶硅電池的光電轉換效率的要求越來越高,人們開始研究PERC背鈍化太陽電池技術。目前業界主流廠家的焦點集中在單面PERC太陽能電池的量產,而P型PERC雙面太陽能電池,由于光電轉換效率高,同時雙面吸收太陽光,發電量更高,在實際應用中具有更大的使用價值。但是,目前P型PERC雙面太陽能電池也僅僅是一些研究機構在實驗室做的研究,如何將P型PERC雙面太陽能電池的結構進行優化從而適應大批量生產,有待本領域技術人員進一步探討和研究。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池,可雙面吸收太陽光,擴大太陽能電池的應用范圍和提高光電轉換效率。
本發明所要解決的技術問題在于,提供一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法、組件和系統,可雙面吸收太陽光,擴大太陽能電池的應用范圍和提高光電轉換效率。
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種P型PERC雙面太陽能電池,包括背銀主柵、鋁柵線、柵線脊骨、鋁柵外框、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極;所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正銀電極從下至上依次層疊連接;
所述背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜經過激光開槽后形成30-500個平行設置的激光開槽區,每個激光開槽區內設置至少1組激光開槽單元,所述鋁柵線通過激光開槽區與P型硅相連;所述鋁柵線與背銀主柵垂直連接,所述柵線脊骨與鋁柵線連接;
所述鋁柵外框為四方邊框,鋁柵外框分別與鋁柵線和背銀主柵連接。
作為上述技術方案的改進,當每個激光開槽區內設置2組或2組以上激光開槽單元時,各組激光開槽單元平行設置,相鄰兩組激光開槽單元之間的間距為5-480μm。
作為上述技術方案的改進,在背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜對應鋁柵外框、柵線脊骨的位置還設有鋁框開槽區、脊骨開槽區,所述鋁柵外框通過鋁框開槽區與P型硅相連;所述柵線脊骨通過脊骨開槽區與P型硅相連。
作為上述技術方案的改進,每組激光開槽單元包括至少1個激光開槽單元,激光開槽單元的圖案為圓形、橢圓形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、十字形或星形。
作為上述技術方案的改進,每組激光開槽單元包括一個圖案為條狀長方形的激光開槽單元。
作為上述技術方案的改進,同組激光開槽單元沿鋁柵線延伸方向間隔式排布,相鄰兩個激光開槽單元的間隔距離為0.01-50mm。
作為上述技術方案的改進,所述激光開槽區的寬度為10-500μm;鋁柵線的寬度為30-550μm;背銀主柵的寬度為0.5-5mm;所述柵線脊骨采用鋁漿制成時,寬度為30-550μm;所述柵線脊骨采用銀漿制成時,寬度為30-60μm;所述鋁柵外框的每條邊框的寬度為30-1000μm。
所述鋁柵線的根數為30-500條;所述背銀主柵的根數為2-8條。
作為上述技術方案的改進,所述背銀主柵為連續直柵;或所述背銀主柵呈間隔分段設置;或所述背銀主柵呈間隔分段設置,各相鄰分段間通過連通區域連接。
相應地,本發明還提供一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法,包括以下步驟:
(1)在硅片正面和背面形成絨面,所述硅片為P型硅;
(2)在硅片正面進行擴散,形成N型發射極;
(3)去除擴散過程形成的磷硅玻璃和周邊PN結,并對硅片背面進行拋光;
(4)在硅片背面沉積氧化鋁膜和氮化硅膜;
(5)在硅片正面沉積氮化硅膜;
(6)對硅片背面的氮化硅膜和氧化鋁膜上進行激光開槽;
(7)在硅片背面背銀主柵對應位置印刷背銀主柵漿料,烘干;
(8)在硅片背面鋁柵線和鋁柵外框對應位置印刷鋁漿,烘干;
(9)在硅片背面柵線脊骨對應位置印刷銀漿或鋁漿,烘干;
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





