[發(fā)明專(zhuān)利]量子點(diǎn)薄膜及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710123637.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107817539A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐世杰;呂英宗;吳憲宗;李宛珊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 迎輝科技股份有限公司;原像科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02B1/14 | 分類(lèi)號(hào): | G02B1/14;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11355 | 代理人: | 史瞳,謝瓊慧 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子 薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)薄膜,包含:一個(gè)基材,其特征在于,該量子點(diǎn)薄膜還包含一個(gè)位于該基材上的阻水層,以及一個(gè)位于該阻水層上方的作用層,該阻水層具有阻隔水氣的功能,并且由有機(jī)材料與無(wú)機(jī)材料混合形成,該作用層包括一個(gè)主體,以及數(shù)個(gè)摻混于該主體中的量子點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)薄膜,其特征在于:該阻水層的有機(jī)材料為六甲基二硅氧烷,該無(wú)機(jī)材料為金屬氮化物、金屬氧化物或金屬氮氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)薄膜,其特征在于:該基材材料為聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯。
4.如權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的量子點(diǎn)薄膜,其特征在于:該阻水層的厚度為5nm~200nm。
5.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)薄膜,其特征在于:該量子點(diǎn)薄膜還包含一層位于該阻水層與該作用層間的結(jié)合層,該結(jié)合層為有機(jī)材料。
6.一種量子點(diǎn)薄膜的制造方法,包含:提供一個(gè)基材,其特征在于,該量子點(diǎn)薄膜的制造方法還包含:將有機(jī)材料與無(wú)機(jī)材料混合在一起,并利用濺鍍方式披覆形成于該基材上,以在該基材上形成一個(gè)阻水層,后續(xù)形成一個(gè)具有數(shù)個(gè)量子點(diǎn)的作用層。
7.如權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)薄膜的制造方法,其特征在于:該阻水層的有機(jī)材料為六甲基二硅氧烷,該無(wú)機(jī)材料為金屬氮化物、金屬氧化物或金屬氮氧化物。
8.如權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)薄膜的制造方法,其特征在于:該基材材料為聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)薄膜的制造方法,其特征在于:該阻水層的厚度為5nm~200nm。
10.如權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)薄膜的制造方法,其特征在于:在形成該作用層前,先在該阻水層上形成一層結(jié)合層,該結(jié)合層為有機(jī)材料。
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