[發明專利]磁存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710123328.6
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN107689417B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 白鳥聰志;與田博明;大沢裕一;杉山英行;清水真理子;A·布彥達萊;下村尚治
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 金春實

提供能夠提高存儲密度的磁存儲裝置及其制造方法。根據實施方式，磁存儲裝置包括含金屬層、第1磁性層、第2磁性層以及第1中間層。所述含金屬層包含金屬元素。所述第2磁性層設置于所述含金屬層的一部分與所述第1磁性層之間。所述第1中間層包括設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的部分。所述第1中間層朝向所述含金屬層成為凸狀。

本申請以日本專利申請2016-154040(申請日2016年8月4日)為基礎，從該申請享受優先的利益。本申請通過參照該申請，包括該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及磁存儲裝置及其制造方法。

背景技術

在磁存儲裝置中，期望存儲密度的提高。

發明內容

本發明的實施方式提供一種能夠提高存儲密度的磁存儲裝置及其制造方法。

根據本發明的實施方式，磁存儲裝置包括含金屬層、第1磁性層、第2磁性層以及第1中間層。所述含金屬層包含金屬元素。所述第2磁性層設置于所述含金屬層的一部分與所述第1磁性層之間。所述第1中間層包括設置于所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的部分。所述第1中間層朝向所述含金屬層成為凸狀。

根據上述結構的磁存儲裝置，可提供能夠提高存儲密度的磁存儲裝置。

附圖說明

圖1(a)～圖1(c)是例示第1實施方式的磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖2是例示第1實施方式的磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖3(a)以及圖3(b)是例示第1實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖4是例示第1實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖5是例示第1實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖6是例示第1實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖7是例示第2實施方式的磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖8是例示磁存儲裝置的特性的曲線圖。

圖9(a)～圖9(d)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖10是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖11(a)以及圖11(b)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的制造方法的示意性的剖面圖。

圖12是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖13(a)以及圖13(b)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的制造方法的示意性的剖面圖。

圖14是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖15是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的示意性的剖面圖。

圖16(a)～圖16(i)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的制造方法的示意圖。

圖17(a)～圖17(f)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的制造方法的示意性的剖面圖。

圖18(a)～圖18(i)是例示第2實施方式的其他磁存儲裝置的制造方法的示意圖。

圖19是例示第3實施方式的磁存儲裝置的制造方法的流程圖。

(附圖標記說明)