[發(fā)明專利]石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710123200.X | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN108535892B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉忠范;劉開輝;周旭;陳珂 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | G02F1/03 | 分類號: | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司: | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360 | 代理人: | 蘇愛華 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 光子 晶體 光纖 液態(tài) 電極 電光 調(diào)制器 | ||
本發(fā)明提供一種新型的石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器。該器件在光子晶體光纖表面和內(nèi)壁覆蓋石墨烯薄膜,在光纖內(nèi)部充入離子液體與電極接觸制成離子液體電極,通過調(diào)節(jié)電壓改變石墨烯費(fèi)米能級進(jìn)而調(diào)控光在石墨烯光纖的透過率,最終實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制。本發(fā)明采用石墨烯光子晶體光纖以及離子液體電極技術(shù),與其他類似的石墨烯電光調(diào)制器相比有更高的工作帶寬,調(diào)制效率和更低的能量損耗。本發(fā)明提供的新型石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器具有工作頻帶寬,調(diào)制效率高,能量損耗低,制作工藝簡單,與光纖光路系統(tǒng)耦合方便,利于光電系統(tǒng)集成,在光纖通信,傳感器和光互聯(lián)系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光通訊,傳感技術(shù)及其光電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器。
背景技術(shù)
電光調(diào)制器是利用材料的電光效應(yīng)制成的調(diào)制器件,通過控制電場改變材料的折射率或者吸收率等特性,從而改變輸出光波的相位或者強(qiáng)度,在光通信和激光雷達(dá)系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。目前,光纖通信電光調(diào)制器主要是利用光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)或光纖結(jié)構(gòu)對1550nm波段激光進(jìn)行調(diào)制,調(diào)制帶寬達(dá)160GHz以上,通信速率達(dá)40Gbps。如何提高調(diào)制速率和消光比是影響光纖通信系統(tǒng)帶寬升級的瓶頸問題。
石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角蜂巢形二維平面薄膜,是只有一個碳原子厚度的二維材料。石墨烯具備超乎優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué),熱學(xué)及機(jī)械性質(zhì),例如非線性極化率高達(dá)10-7esu,常溫載流子遷移率超過15000cm2v-1s-1,均遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料;其在可見和紅外光波段的透過率高達(dá)97.7%,電導(dǎo)率比銅還高;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m·K,高于碳納米管和金剛石。這些優(yōu)異的光電特性使石墨烯成為理想的飽和吸收體,具有寬波帶、超快響應(yīng)、以及低飽和吸收強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn),在鎖模或調(diào)Q脈沖激光器等電光調(diào)制技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
離子液體電壓調(diào)控技術(shù)是一個有效調(diào)節(jié)低維材料的載流子濃度和電場強(qiáng)度的技術(shù),在電子和電化學(xué)器件中用途廣泛。離子液體是完全由離子(通常為含氮有機(jī)陽離子和無機(jī)陰離子)組成的高度極化且具有低熔點(diǎn)的二元鹽類。離子液體具有熱與化學(xué)穩(wěn)定性高、非易失性、無毒性等特點(diǎn),并且在較寬的溫度范圍內(nèi)都是液態(tài)。離子液體還可以實(shí)現(xiàn)在其電化學(xué)窗口內(nèi)的高電壓,而不會產(chǎn)生氧化還原反應(yīng)。離子液體的相對介電常數(shù)大概在1-10之間,而其介電層的厚度可小到幾納米,電容可達(dá)到約10μFcm-2(比300nm厚二氧化硅介質(zhì)層的電容大三個量級),因此調(diào)控低維材料的載流子濃度最高可達(dá)到1015cm-2(比二氧化硅介質(zhì)層調(diào)控大兩個數(shù)量級)。而且,離子液體只需要幾伏特的電壓就可以調(diào)控材料的載流子濃度,而二氧化硅介電層需要幾十上百伏特電壓。因此,離子液體作為電光器件電極材料具有高效,低損耗等優(yōu)點(diǎn)。
石墨烯電光調(diào)制器是通過對石墨烯施加電壓使其費(fèi)米能級改變而實(shí)現(xiàn)控制激光開關(guān)的功能。當(dāng)施加足夠電壓使石墨烯費(fèi)米能級相對狄拉克點(diǎn)上升或下降至入射光子能量一半的位置時,入射光子由于泡利阻塞效應(yīng)無法激發(fā)電子空穴對,從而出現(xiàn)可飽和吸收或吸收漂白現(xiàn)象,此時石墨烯不吸收激光,激光完全“打開”。反正,當(dāng)費(fèi)米能級位置移動不滿足上述條件時,石墨烯電子吸收入射光子能量產(chǎn)生躍遷,此時石墨烯吸收激光,激光被“關(guān)斷”。在激光調(diào)制過程中,輸出光功率在開狀態(tài)和關(guān)狀態(tài)下的比值為調(diào)制消光比,是衡量電光調(diào)制器性能的重要指標(biāo)。而單層石墨烯的吸收率為2.3%,最高可實(shí)現(xiàn)的調(diào)制消光比約為-0.1dB,因此必須設(shè)計特殊的石墨烯光纖結(jié)構(gòu)提高調(diào)制消光比,和特殊器件結(jié)構(gòu)降低調(diào)制電壓和功耗,用以滿足高調(diào)制效率,低損耗的電光調(diào)制器的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種寬頻帶、高調(diào)制效率和低損耗的石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器。
一種石墨烯光子晶體光纖液態(tài)電極電光調(diào)制器,其特征在于,所述光子晶體光纖包括空氣孔,在表面覆蓋石墨烯薄膜的所述空氣孔內(nèi)充滿離子液體,在光子晶體兩端形成電極從而得到所述電光調(diào)制器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學(xué),未經(jīng)北京大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710123200.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 單光子探測器用于分辨光子數(shù)的測量方法
- 利用光子調(diào)控增強(qiáng)光子計數(shù)激光雷達(dá)探測靈敏度的方法和系統(tǒng)
- 光子電路設(shè)計系統(tǒng)和計算機(jī)可讀介質(zhì)
- 測量熒光量子產(chǎn)率的方法及裝置
- 用于光子掃描裝置的脈寬調(diào)制
- 用于使用糾纏光子在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中空脈沖減輕的方法和系統(tǒng)
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測深方法及裝置
- 光子半導(dǎo)體裝置及其制造方法





