[發(fā)明專利]一種復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710123179.3
• 申請(qǐng)日: 2017-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN106971025B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李特;王少華;劉浩軍;梅冰笑;胡文堂;曹俊平;董雪松;周象賢;蔣愉寬;蔣鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)網(wǎng)浙江省電力公司電力科學(xué)研究院;國(guó)家電網(wǎng)公司
• 主分類號(hào): G06F30/39
• 分類號(hào): G06F30/39;G06F113/16;G06F119/18
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務(wù)所(普通合伙) 33206
• 代理人: 張建青

本發(fā)明公開了一種復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法。目前，復(fù)合絕緣子的爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法未考慮對(duì)照絕緣子自然積污的不均勻特性，存在一定的局限性。本發(fā)明通過分析復(fù)合絕緣子與對(duì)照絕緣子經(jīng)歷自然積污后的上、下表面等值鹽密、等值灰密特性，得到復(fù)合絕緣子與對(duì)照絕緣子自然積污后的積污比，根據(jù)人工污穢耐壓試驗(yàn)結(jié)果得到復(fù)合絕緣子、對(duì)照絕緣子的污閃電壓特性，根據(jù)不同積污狀況下對(duì)應(yīng)的污閃電壓，得到復(fù)合絕緣子爬電比距有效利用系數(shù)。本發(fā)明考慮了絕緣子自然積污鹽密、灰密、積污不均勻度對(duì)污閃電壓的影響，確保正確求取爬電距離有效利用系數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法，具體地說是一種考慮自然積污特性的復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法。

背景技術(shù)

爬電距離有效利用系數(shù)對(duì)于輸電線路中復(fù)合絕緣子的絕緣配置有著重要意義。通過不同污區(qū)等級(jí)下的復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)，可以確定復(fù)合絕緣子的有效爬電距離，有助于電力運(yùn)行部門判斷具體污穢度下復(fù)合絕緣子是否滿足安全要求，有助于電力設(shè)計(jì)部門在不同污區(qū)等級(jí)選取合適的復(fù)合絕緣子爬電距離與串長(zhǎng)，進(jìn)而可以選取最為合適的桿塔型式，提升輸電線路固定投資的經(jīng)濟(jì)性。

目前復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)沒有明確的計(jì)算方法，部分研究者曾嘗試參照瓷絕緣子、玻璃絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)確定方法對(duì)復(fù)合絕緣子進(jìn)行計(jì)算，計(jì)算采用目標(biāo)絕緣子與對(duì)照絕緣子的整體積污比及人工污穢耐壓特性進(jìn)行，未考慮絕緣子上、下表面自然積污的不均勻特性。作為對(duì)照絕緣子的XP-160、XP-70等盤型懸式絕緣子，其上、下表面積污差異較大，下表面積污一般為上表面的6-8倍，其污閃電壓與均勻積污情況下的污閃電壓差異顯著，而復(fù)合絕緣子上、下表面積污差異較小，其污閃電壓與積污均勻情況下的污閃電壓基本一致。兩種絕緣子上、下表面的積污差異會(huì)對(duì)污閃電壓造成顯著影響，進(jìn)而影響爬電距離有效利用系數(shù)，因此不考慮自然積污不均勻度時(shí)爬電距離有效利用系數(shù)的計(jì)算結(jié)果誤差較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種考慮自然積污特性的復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法，其通過復(fù)合絕緣子與對(duì)照絕緣子自然積污鹽密、灰密、不均勻度及污閃電壓特性，得到復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)，以用于輸電線路設(shè)計(jì)與運(yùn)維輔助判斷。

為此，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：一種復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)的確定方法，其包括如下步驟：

a)獲取復(fù)合絕緣子爬電距離、傘裙上表面面積和傘裙下表面面積，獲取對(duì)照絕緣子爬電距離、傘裙上表面面積和傘裙下表面面積；

b)選取桿塔數(shù)量≥10的多基桿塔，在每一基桿塔上懸掛一支復(fù)合絕緣子和一串對(duì)照絕緣子進(jìn)行自然積污；

c)經(jīng)過3-5年的飽和積污期后，通過污穢測(cè)試獲取各基桿塔上復(fù)合絕緣子傘裙上表面、下表面的等值鹽密和等值灰密，及各基桿塔上對(duì)照絕緣子傘裙上表面、下表面的等值鹽密和等值灰密；

d)計(jì)算對(duì)照絕緣子的積污不均勻度；

e)計(jì)算復(fù)合絕緣子和對(duì)照絕緣子的傘裙整體鹽密與灰密；

f)計(jì)算復(fù)合絕緣子與對(duì)照絕緣子的鹽密積污比和灰密積污比；

g)通過絕緣子污穢耐壓試驗(yàn)，獲取復(fù)合絕緣子的污閃電壓與整體鹽密及灰密的關(guān)系，對(duì)照絕緣子的污閃電壓與整體鹽密、灰密及積污不均勻度的關(guān)系；

h)設(shè)定不同的污區(qū)等級(jí)，選取對(duì)照絕緣子的典型鹽密和灰密，得到復(fù)合絕緣子的典型鹽密及灰密；

i)利用步驟h)確定的典型鹽密和灰密，步驟d)計(jì)算得到的對(duì)照絕緣子積污不均勻度和步驟g)確定的污閃電壓，得到復(fù)合絕緣子爬電距離有效利用系數(shù)K_p。