[發(fā)明專利]一種增加TLCNand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN106910529A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 孫成思;孫日欣;李振華;賴永富;邱家揚;許志全
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C7/00
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所44275
• 代理人: 張明

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領域，尤其涉及一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)。

背景技術(shù)

Nand閃存作為一種低價、大容量的存儲設備，在嵌入式系統(tǒng)中使用越來越廣泛。SLC(Single-Level Cell)閃存為Nand閃存中的一種，SLC利用正、負兩種電荷，一個浮動柵存儲一個字節(jié)的信息，約10萬次擦寫壽命。TLC(Triple-LevelCell)閃存為目前市面上應用較為普遍的一種Nand閃存，TLC利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個字節(jié)的信息，約500-1000次擦寫壽命，對于TLC閃存來說，由于本身的擦寫次數(shù)有限，頻繁的大量寫入數(shù)據(jù)是TLC閃存不能承受的。由此可見，如何提高TLC閃存的擦寫壽命是亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種可以增加TLC Nand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)，可以大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法，包括：

判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

若是，則將所述壞塊設置為SLC存儲模式。

本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)，包括：

判斷模塊，用于判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

設置模塊，用于若是，則將所述壞塊設置為SLC存儲模式。

本發(fā)明的有益效果在于：由于SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以將TLC Nand閃存中的壞塊設置為SLC存儲模式繼續(xù)使用，可以增加TLC閃存的使用周期，大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例一的一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例二的一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

標號說明：

1、判斷模塊；2、設置模塊；3、創(chuàng)建模塊；4、添加模塊；5、新建模塊；6、調(diào)用模塊；11、讀取單元；12、判斷單元；13、判定單元。

具體實施方式

為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關鍵的構(gòu)思在于：將TLC Nand閃存中的壞塊設置為SLC存儲模式繼續(xù)使用，可以延長TLC Nand閃存的使用壽命。

請參照圖1，一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法，包括：

判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

若是，則將所述壞塊設置為SLC存儲模式。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：首先判斷TLC Nand閃存中是否存在壞塊，由于TLC Nand閃存可以操作在SLC存儲模式，SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以可將TLC Nand閃存中的壞塊設置為SLC存儲模式繼續(xù)使用，大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

進一步的，所述“將所述壞塊設置為SLC存儲模式”之后還包括：

創(chuàng)建壞塊表；

將所述壞塊添加至所述壞塊表。

由上述描述可知，將壞塊添加至壞塊表方便對壞塊進行記錄和查找。

進一步的，所述“判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊”具體為：

若對TLC Nand閃存的塊中的一塊進行擦除操作，則讀取所述一塊的錯誤更正碼；

判斷所述錯誤更正碼是否滿足可進行錯誤更正的預設條件；

若否，則判定所述一塊為壞塊。

由上述描述可知，當通過錯誤更正碼不能更正塊的錯誤時，即判斷所述塊為壞塊。

進一步的，所述“將所述壞塊添加至所述壞塊表”之后還包括：

新建SLC空塊列表，并將所述壞塊對應的SLC塊添加至所述SLC空塊列表中；

當需使用SLC空塊時，調(diào)用所述SLC空塊列表的SLC塊。

由上述描述可知，SLC空塊列表中可以顯示哪些SLC塊為空塊，即哪些SLC塊可以調(diào)用替代TLC壞塊進行存儲。

請參照圖3，本發(fā)明涉及的另一技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)，包括：