[發(fā)明專利]襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710123023.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107275182B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 八幡橘;高野智;豐田一行;大橋直史;高崎唯史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社國(guó)際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。對(duì)于對(duì)晶片進(jìn)行加熱處理的單片裝置而言,能夠提高晶片表面內(nèi)的膜特性。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供一種裝置,具有對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理容器;襯底載置部,具有將襯底加熱至第一溫度的第一加熱部、且具有載置襯底的載置面;加熱氣體供給系統(tǒng),具有加熱非活性氣體的第二加熱部,對(duì)所述處理容器供給加熱過(guò)的所述非活性氣體;和控制部,其以使所述襯底的表面和背面成為規(guī)定的溫度范圍的方式,控制所述第一加熱部和所述第二加熱部。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)
作為制造半導(dǎo)體器件的裝置,存在逐片處理晶片的單片裝置(例如專利文獻(xiàn)1)。在單片裝置中,例如加熱晶片,并且向晶片上供給氣體,由此形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件的一部分的膜。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2012-54399號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題
在單片裝置的情況下,由于是例如逐片處理晶片,因此需要提高成品率。為此,需要提高晶片表面內(nèi)的膜特性。
本發(fā)明的目的在于,對(duì)于對(duì)晶片進(jìn)行加熱處理的單片裝置而言,能夠提高晶片表面內(nèi)的膜特性。
用于解決問(wèn)題的手段
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式,提供一種裝置,具有
對(duì)襯底進(jìn)行處理的處理容器,
襯底載置部,具有將襯底加熱至第一溫度的第一加熱部、且具有載置襯底的載置面,
加熱氣體供給系統(tǒng),具有加熱非活性氣體的第二加熱部,對(duì)所述處理容器供給加熱過(guò)的所述非活性氣體,和
控制部,其以使所述襯底的表面和背面成為規(guī)定的溫度范圍的方式,控制所述第一加熱部和所述第二加熱部。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,對(duì)于對(duì)晶片進(jìn)行加熱處理的單片裝置而言,能夠提高晶片表面內(nèi)的膜特性。
附圖說(shuō)明
[圖1]為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理裝置的概略構(gòu)成例的說(shuō)明圖。
[圖2]為說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理裝置的控制器的說(shuō)明圖。
[圖3]為說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理工序的流程圖。
[圖4]為對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理工序中的襯底處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。
[圖5]為對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理工序中的襯底處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。
[圖6]為對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的襯底處理工序中的襯底處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。
[圖7]為說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的成膜工序的流程圖。
[圖8]為說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的簇射頭的說(shuō)明圖。
[圖9]為說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的分散部的說(shuō)明圖。
[圖10]為說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的分散部的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100…襯底處理裝置,200…晶片(襯底),280…控制器
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖,針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





