[發(fā)明專(zhuān)利]氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710122952.4
• 申請(qǐng)日: 2017-03-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106876250B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆發(fā)旺;張峰;趙倍吉;劉春雪;李晨
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤

1.一種氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成氮化鎵子層；

中止生長(zhǎng)一預(yù)設(shè)時(shí)間；

刻蝕部分所述氮化鎵子層，使所述氮化鎵子層表面起伏，其中，采用干法刻蝕工藝刻蝕部分所述氮化鎵子層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括刻蝕氣體和載氣，所述刻蝕氣體為Cl₂或F₂，Cl₂或F₂的流量為2slm～10slm，體積比為2％～10％；

多次重復(fù)所述形成氮化鎵子層、中止生長(zhǎng)以及刻蝕部分所述氮化鎵子層的步驟，在所述緩沖層表面形成氮化鎵層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述氮化鎵子層的厚度為200nm～800nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度為1μm～8μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為1s～60min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括三氧化二鋁、氧化鉿、氧化鈦、氮化鈦、氮化鋁、氮化鋁鎵或氮化鎵中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長(zhǎng)的方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氧化鋁、鋁酸鋰或氮化鎵中的一種或多種。