[發(fā)明專利]用于氮化物外延生長(zhǎng)的襯底局域非晶化方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710122890.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN106935485A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝杰;閆發(fā)旺;張峰;趙倍吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種用于氮化物外延生長(zhǎng)的襯底局域非晶化方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

將激光束聚焦于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部；

將所述激光束進(jìn)行多次水平移動(dòng)掃描，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成非晶化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述激光束的功率為10毫瓦～500瓦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述激光束波長(zhǎng)為1064nm，光斑直徑為80μm～120μm，脈沖寬度小于50皮秒，頻率為400KHz～600KHz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，將所述激光束通過(guò)聚焦鏡聚焦于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部，且所述激光束垂直于所述半導(dǎo)體襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，將激光束從所述半導(dǎo)體襯底背面聚焦于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述激光束聚焦于半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的深度為半導(dǎo)體襯底厚度的1/3～2/3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述外延生長(zhǎng)采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝、分子束外延工藝、氫化物氣相外延工藝或原子層外延工藝中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述水平移動(dòng)掃描包括：沿第一方向水平掃描，水平間隔范圍為50nm～100mm；沿第二方向水平掃描，水平間隔范圍為50nm～100mm，所述第一方向和第二方向垂直。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底局域非晶化方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，晶向?yàn)?lt;111>。