[發(fā)明專利]非易失性存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710122841.3
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN107342291B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃喆珍;任琫淳;樸起臺
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B43/35
• 分類號: H10B43/35
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;尹淑梅

提供了一種非易失性存儲裝置，所述非易失性存儲裝置包括基板、在基板上的存儲單元陣列、多個結(jié)合焊盤和焊盤電路。存儲單元陣列包括沿豎直方向堆疊在基板上的多個柵極導電層以及貫穿在基板的上部上的所述多個柵極導電層的多個溝道。所述多個結(jié)合焊盤在存儲單元陣列的上部的至少一部分上。所述多個結(jié)合焊盤被構(gòu)造成使非易失性存儲裝置電連接到外部裝置。焊盤電路在基板和存儲單元陣列之間。焊盤電路電連接到所述多個結(jié)合焊盤中的至少一個。

本申請要求于2016年4月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0053533號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思涉及一種非易失性存儲裝置，并且更具體地，涉及一種非易失性存儲裝置和/或一種制造該非易失性存儲裝置的方法。

背景技術(shù)

近來，隨著信息通信裝置變得多功能化，可制造更大容量且更高度集成的存儲裝置。根據(jù)出于高集成度的目的而在存儲單元尺寸上的減小，包括在存儲裝置中用于存儲裝置的操作和電連接的操作電路和/或布線結(jié)構(gòu)也已經(jīng)變得更復雜。因此，存在對于呈現(xiàn)優(yōu)異的電性能同時具有在集成的程度上的改進的存儲裝置的需求。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思提供了一種具有優(yōu)異電特性和高集成度的非易失性存儲裝置和/或一種制造該非易失性存儲裝置的方法。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種非易失性存儲裝置可包括：基板；存儲單元陣列，在基板上，存儲單元陣列包括沿豎直方向堆疊在基板上的多個柵極導電層以及貫穿在基板的上部上的所述多個柵極導電層的多個溝道；多個結(jié)合焊盤，在存儲單元陣列的上部的至少一部分上，所述多個結(jié)合焊盤被構(gòu)造成使非易失性存儲裝置電連接到外部裝置；以及焊盤電路，在基板與存儲單元陣列之間，焊盤電路電連接到所述多個結(jié)合焊盤中的至少一個。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例，一種非易失性存儲裝置可包括：基板；第一存儲單元陣列，在基板的上部上；第二存儲單元陣列，在基板的上部上并且與第一存儲單元陣列相鄰；多個結(jié)合焊盤，在第一存儲單元陣列和第二存儲單元陣列中的至少一個的上部的至少一部分上，所述多個結(jié)合焊盤被構(gòu)造成使非易失性存儲裝置電連接到外部裝置；第一焊盤電路，在基板與第一存儲單元陣列之間；第二焊盤電路，在基板與第二存儲單元陣列之間；以及多個連接焊盤，使第一焊盤電路和第二焊盤電路中的至少一個電連接到所述多個結(jié)合焊盤中的至少一個，所述多個連接焊盤中的至少一個在第一存儲單元陣列的至少一部分以及第二存儲單元陣列的至少一部分上。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例，一種非易失性存儲裝置可包括：基板；存儲單元陣列，在基板上，存儲單元陣列包括在半導體層上堆疊在彼此的頂部上的多個柵極導電層以及在豎直方向上朝著半導體層貫穿所述多個柵極導電層的多個溝道；多個結(jié)合焊盤，在基板上，在存儲單元陣列的上部的至少一部分上方；以及焊盤電路，在基板與存儲單元陣列之間，焊盤電路電連接到所述多個結(jié)合焊盤中的至少一個。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，在附圖中：

圖1和圖2是根據(jù)一些示例實施例的存儲裝置的布局圖；

圖3是從圖1和圖2的線III-III’截取的剖視圖；

圖4是根據(jù)示例實施例的圖1的存儲裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5是根據(jù)示例實施例的存儲單元陣列的透視圖；

圖6是圖5的存儲塊的電路圖；

圖7是根據(jù)一些示例實施例的存儲裝置的布局圖；

圖8是圖7的存儲裝置的剖視圖；

圖9是根據(jù)示例實施例的存儲裝置的剖視圖；

圖10至圖18是根據(jù)一些示例實施例的用于順序地描述制造存儲裝置的方法的剖視圖；