[發明專利]一種弱光柵陣列制備方法與控制系統有效
| 申請號: | 201710122717.7 | 申請日: | 2017-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN106772739B | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發明(設計)人: | 唐健冠;楊坤;商福發;甘維兵;余海湖;楊明紅 | 申請(專利權)人: | 武漢理工大學 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18;G01H9/00;G01D5/353 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王丹 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 弱光 陣列 制備 方法 控制系統 | ||
1.一種弱光柵陣列制備控制系統,其特征在于:它包括:
光電編碼器,設置在拉絲塔中主動輪上用于測量光纖拉絲速度,光電編碼器的線數N滿足2πR/N≤1mm,R為主動輪的半徑;
計數器,光電編碼器每發射一個脈沖則計數器示數加1,且當計數器的示數m滿足NL/2πR-1<m≤NL/2πR時,計數器清零;L為光柵的間距;
控制器,用于每當計數器清零時發出一個信號;
準分子激光器,用于在接收到控制器的信號時,發射一個激光脈沖刻寫一個光柵。
2.根據權利要求1所述的弱光柵陣列制備控制系統,其特征在于:所述的準分子激光器發射的激光脈沖經過光闌和均勻的相位掩膜版后刻寫光柵,所述的光闌的窄縫的寬度與相位掩膜版的傾斜角度保證光柵的3dB帶寬大于2nm。
3.根據權利要求1所述的弱光柵陣列制備控制系統,其特征在于:所述的準分子激光器發射的激光脈沖經過啁啾相位掩膜版后刻寫光柵,所述的啁啾相位掩膜版的傾斜角度保證光柵的3dB帶寬大于2nm。
4.利用權利要求1所述的弱光柵陣列制備控制系統實現的弱光柵陣列制備方法,其特征在于:它包括以下步驟:
S1、在拉絲塔中主動輪上設置線數為N的光電編碼器測量光纖拉絲速度, N滿足2πR/N≤1mm,R為主動輪的半徑;
S2、光電編碼器每發射一個脈沖則計數器示數加1,且當計數器的示數m滿足NL/2πR-1<m≤NL/2πR時,計數器清零;L為光柵的間距;
S3、每當計數器清零時發出一個信號;
S4、準分子激光器在接收到控制器的信號時,發射一個激光脈沖刻寫一個光柵。
5.根據權利要求4所述的弱光柵陣列制備方法,其特征在于:所述的準分子激光器發射的激光脈沖經過光闌和均勻的相位掩膜版后刻寫光柵,通過控制光闌的窄縫的寬度與均勻的相位掩膜版的傾斜角度來控制光柵的3dB帶寬大于2nm。
6.根據權利要求4所述的弱光柵陣列制備方法,其特征在于:所述的準分子激光器發射的激光脈沖經過啁啾相位掩膜版后刻寫光柵,通過控制啁啾相位掩膜版的傾斜角度來控制光柵的3dB帶寬大于2nm。
7.根據權利要求4所述的弱光柵陣列制備方法,其特征在于:通過準分子激光器的恒能量模式使整個拉絲過程中的能量保持固定,同時整個拉絲過程中光柵的拉絲速度、拉絲爐的溫度和拉絲張力均保持穩定,光柵的反射率控制在-50dB~-40dB,光柵反射率的一致性<5dB。
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