[發(fā)明專利]存儲(chǔ)設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710122445.0
• 申請(qǐng)日: 2012-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107195320A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山根一陽(yáng);細(xì)見(jiàn)政功;大森廣之;別所和宏;肥后豐;淺山徹哉;內(nèi)田裕行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16;H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 田喜慶,劉冀

1.一種存儲(chǔ)設(shè)備，包括：

具有磁化的存儲(chǔ)元件，其中磁化方向配置為通過(guò)施加流過(guò)所述存儲(chǔ)元件的電流而改變，所述存儲(chǔ)元件包括Co-Fe-B磁性元件以及至少一個(gè)非磁性元件；

磁化固定元件；

非磁性材料，設(shè)置在所述存儲(chǔ)元件和所述磁化固定元件之間；以及

氧化物材料，作為非磁性材料設(shè)置在所述存儲(chǔ)元件的相反側(cè)上，其中所述氧化物材料包括Li。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

所述存儲(chǔ)元件依序包括第一Co-Fe-B磁性元件、所述非磁性元件和第二Co-Fe-B磁性元件，并且其中所述非磁性元件包含Ta。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

所述氧化物材料包括由Al、Si、Cu、Mg、P、B和C中的至少一者和Li構(gòu)成的氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

所述氧化物材料包括由Li和氧構(gòu)成的氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中還包括

中間層，由非磁性材料形成，并設(shè)置在所述存儲(chǔ)元件和所述磁化固定元件之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

至少所述中間層的與所述存儲(chǔ)元件接觸的界面包括MgO膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

所述非磁性元件、第二Co-Fe-B磁性元件以及所述中間層形成層疊結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中

所述氧化物材料、所述第一Co-Fe-B磁性元件以及所述非磁性元件形成層疊結(jié)構(gòu)。