[發明專利]采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法在審
| 申請號： | 201710122157.5 | 申請日： | 2017-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN106841146A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 黃洋;伊曉燕;劉志強;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G01N21/64 | 分類號： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 pl 獲取 半導體材料 雜質 電離能 無損 測量方法 | ||
1.一種采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其是通過分析半導體材料變溫PL譜譜峰強度隨溫度升高而下降的熱淬滅行為，計算獲得半導體材料的雜質電離能，具體方法包括：
步驟1：測量待測半導體材料的變溫PL譜；
步驟2：通過譜峰擬合，獲得待測半導體材料在不同溫度下的熱淬滅峰譜峰強度；
步驟3：擬合熱淬滅峰譜峰強度-溫度關系實驗數據，獲得半導體材料雜質電離能，包括施主雜質電離能和受主雜質電離能；
步驟4：重復步驟1-3，多次測量待測半導體材料的雜質電離能，采用最小二乘法，計算多次測量后的雜質電離能。
2.根據權利要求1所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其是通過測量半導體材料的變溫PL譜和相應的譜峰分析，無損地獲取半導體材料的雜質電離能。
3.根據權利要求2所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其中所述的無損，是指在測量過程中，不會對帶半導體材料造成損失。
4.根據權利要求2所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其中所述的雜質電離能，同時包括待測半導體材料的施主雜質電離能和受主雜質電離能。
5.根據權利要求1所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其是通過分析半導體材料的熱淬滅峰隨溫度的變化行為，計算獲得待測的半導體材料的雜質電離能。
6.根據權利要求1所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其中步驟2所述的通過譜峰擬合，是指通過多個高斯函數擬合PL譜光譜強度，判定熱淬滅峰，并獲得不同溫度下熱淬滅峰的譜峰強度。
7.根據權利要求1所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其中步驟3所述的擬合熱淬滅峰譜峰強度-溫度關系實驗數據，是指采用公式擬合熱淬滅峰譜峰強度-溫度關系實驗數據，同時獲得半導體材料的雜質電離能。
8.根據權利要求7所述的采用變溫PL譜獲取半導體材料雜質電離能的無損測量方法，其中所述公式擬合的公式為
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