[發明專利]一種提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動芯片及電路有效
| 申請號: | 201710122074.6 | 申請日: | 2017-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN107046748B | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 上海燦瑞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05B33/08 | 分類號: | H05B33/08 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 鄧琪;余中燕 |
| 地址: | 200072 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 可控硅 調光器 兼容性 led 驅動 芯片 電路 | ||
1.一種提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動芯片,連接至一包括可控硅調光器和輸入電流采樣電阻的外圍電路,且一輸入電流流過所述可控硅調光器和輸入電流采樣電阻,其特征在于,該芯片包括:
一遲滯比較器,其正輸入端連接一內部基準電壓端,負輸入端連接所述外圍電路以接收所述輸入電流流過所述輸入電流采樣電阻產生的電壓;
一跨導模塊,其正輸入端連接一內部基準電流端,負輸入端連接一輸出電流反饋端;
一第一NMOS管,其柵極連接所述跨導模塊的輸出端;
一第一PMOS管,其柵極通過一第一反相器連接所述遲滯比較器的輸出端,源極連接一芯片內部電源,漏極連接所述第一NMOS管的漏極;
一第二PMOS管,其源極通過一第一電流源連接所述芯片內部電源,柵極連接所述遲滯比較器的輸出端,漏極連接所述第一NMOS管的源極;
一第二NMOS管,其柵極連接所述遲滯比較器的輸出端,漏極連接所述第一NMOS管的源極,源極通過一第二電流源接地;
一補償電容,其上極板連接所述跨導模塊的輸出端,下極板接地;
一隔離電容,其上極板連接所述第一NMOS管的源極,下極板接地;
一第一比較器,其正輸入端連接一鋸齒波產生電路,負輸入端連接所述第一NMOS管的源極;以及
一驅動模塊,其輸入端通過一開關邏輯模塊連接所述第一比較器的輸出端,輸出端連接所述外圍電路以及所述開關邏輯模塊的輸入端。
2.根據權利要求1所述的提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動芯片,其特征在于,所述鋸齒波產生電路包括:
一第二反相器,其輸入端連接所述開關邏輯模塊的輸出端;
一第三PMOS管,其柵極連接所述第二反相器的輸出端,源極通過一第三電流源連接所述芯片內部電源,漏極連接所述鋸齒波產生電路的輸出端;
一第三NMOS管,其柵極連接所述第二反相器的輸出端,源極接地,漏極連接所述鋸齒波產生電路的輸出端;以及
一斜坡電容,其上極板連接所述鋸齒波產生電路的輸出端,下極板接地。
3.根據權利要求1所述的提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動芯片,其特征在于,所述開關邏輯模塊包括一第二比較器和一RS觸發器,其中,
所述第二比較器的正輸入端連接所述驅動模塊的輸出端,負輸入端接地;
所述RS觸發器的置位端連接所述第二比較器的輸出端,復位端連接所述第一比較器的輸出端,輸出端連接所述驅動模塊的輸入端。
4.一種提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動電路,其包括一LED驅動芯片和一外圍電路,其特征在于,所述LED驅動芯片為前述權利要求1-3中任一項所述的提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動芯片。
5.根據權利要求4所述的提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動電路,其特征在于,所述外圍電路包括:
一交流電源;
所述可控硅調光器,其輸入端連接所述交流電源的正輸出端;
所述輸入電流采樣電阻,其一端連接所述遲滯比較器的第二輸入端,另一端接地;
一整流電路,其正輸入端連接所述調光器的輸出端,負輸入端連接所述交流電源的負輸出端,負輸出端連接所述遲滯比較器的第二輸入端;
一變壓器,其原邊異名端連接所述整流電路的正輸出端,副邊異名端連接一LED負載的負極;
一功率MOS管,其柵極連接所述驅動模塊的輸出端,漏極連接所述變壓器的原邊同名端;
一輸出電壓采樣電阻,其一端連接所述功率MOS管的源極,另一端接地;以及
一續流二極管,其陽極連接所述變壓器的副邊同名端,陰極連接所述LED負載的陽極。
6.根據權利要求5所述的提高對可控硅調光器兼容性的LED驅動電路,其特征在于,所述外圍電路還包括一鉗位二極管,其陰極連接所述遲滯比較器的第二輸入端,陽極接地。
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