[發(fā)明專利]LED組件、發(fā)光裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710121663.2
• 申請(qǐng)日: 2017-03-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106848018B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂振華;董學(xué);王丹;邱云;杜淵鑫;徐曉玲;王志東;王延峰;王飛;王美麗;王慧娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20;H01L33/24
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

本發(fā)明提供了LED組件、發(fā)光裝置和電子設(shè)備，該LED組件包括：第一電極；設(shè)置于第一電極一側(cè)的N型半導(dǎo)體層；設(shè)置于N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離第一電極一側(cè)、且內(nèi)部設(shè)置有過(guò)孔的介電層；設(shè)置于介電層遠(yuǎn)離N型半導(dǎo)體層一側(cè)的P型半導(dǎo)體層；設(shè)置于P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離介電層一側(cè)的第二電極，其中，N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層通過(guò)過(guò)孔接觸。該LED組件可以有效避免劃線或腐蝕產(chǎn)生的缺陷和位錯(cuò)對(duì)其產(chǎn)生的負(fù)面影響，出光穩(wěn)定性和均勻性顯著提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體的，涉及LED組件、發(fā)光裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

Micro LED技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)，指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，如LED顯示屏每一個(gè)像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，可看成是戶外LED顯示屏的微縮版，將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。比起傳統(tǒng)的拼接顯示屏來(lái)說(shuō)該技術(shù)優(yōu)點(diǎn)很多：無(wú)拼縫、亮度高、對(duì)比度高、占用空間小。但由于微LED陣列在劃線和腐蝕的過(guò)程中，在器件側(cè)面會(huì)引起大量的晶格缺陷，導(dǎo)致對(duì)應(yīng)位置的位錯(cuò)密度明顯高于器件中間位置，存在LED出光均勻性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題。

因而，目前的LED器件相關(guān)技術(shù)仍有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。

本發(fā)明是基于發(fā)明人的以下發(fā)現(xiàn)和認(rèn)識(shí)而完成的：

在研究過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有LED組件(結(jié)構(gòu)示意圖參照?qǐng)D1)多少都存在一些出光均勻性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題，通過(guò)進(jìn)一步研究發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)致LED組件出光均勻性和穩(wěn)定性差的原因在于LED陣列在劃線和腐蝕過(guò)程中，在器件側(cè)面會(huì)引起大量的晶格缺陷，由此，高密度的位錯(cuò)導(dǎo)致LED出光均勻性和穩(wěn)定性變差。基于上述發(fā)現(xiàn)，發(fā)明人進(jìn)行了深入研究，提出在P/N型半導(dǎo)體的接觸界面設(shè)計(jì)介電層將其隔開(kāi)，并在位錯(cuò)密度低的中間位置設(shè)計(jì)開(kāi)口，通過(guò)控制P-N結(jié)在器件中的位置，來(lái)避開(kāi)位錯(cuò)密度高的器件側(cè)面，實(shí)現(xiàn)出光的穩(wěn)定性和均一性。

鑒于此，在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種LED組件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該LED組件包括：第一電極；N型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層設(shè)置于所述第一電極的一側(cè)；介電層，所述介電層設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)，且所述介電層內(nèi)部設(shè)置有過(guò)孔；P型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體層設(shè)置于所述介電層遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層的一側(cè)；第二電極，所述第二電極設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述介電層的一側(cè)，其中，所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層通過(guò)所述過(guò)孔接觸。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)設(shè)置介電層將P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層隔開(kāi)，并在介電層中設(shè)置過(guò)孔使P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層在過(guò)孔位置接觸，可以有效避免劃線或腐蝕產(chǎn)生的缺陷和位錯(cuò)對(duì)LED產(chǎn)生的負(fù)面影響，提高LED組件的出光穩(wěn)定性和均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第一電極的反射率不低于50％。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述第一電極的材料包括鋁、銀、金和銅中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述介電層的材料包括二氧化硅和氮化硅中的至少一種。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第二電極包括多個(gè)子電極，所述多個(gè)子電極在所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述介電層的一側(cè)彼此間隔設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第二電極呈網(wǎng)格狀。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第二電極的光透過(guò)率不低于50％。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述第二電極的材料包括金、銀、銅、鉑、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、氧化銦錫、鋁摻雜氧化鋅中的至少一種。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該發(fā)光裝置包括前面所述的LED組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，該發(fā)光裝置具有前面所述的LED組件的所有特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。